삼성전자가 미 IBM과 공동으로 20나노 및 20나노 미만의 차세대 로직공정을 공동으로 개발키로 했다고 13일 밝혔다.
현재 인텔은 32나노 로직 공정을 상용화해 CPU를 생산 중이며 삼성전자는 32나노 공정 개발에 이어 28나노 공정을 개발중이다. 32나노 공정은 연내 상용화를 목표로하고 있다. 세계 최대 파운드리 업체인 TSMC는 올해 연말 28나노 공정을 이용한 로직제품 생산에 착수하는 등 인텔·TSMC·삼성전자 등의 기술 경쟁이 치열하다.
삼성전자와 IBM이 가장 먼저 20나노 이하 로직 공정을 개발할 경우 메모리뿐만 아니라 로직 공정에서도 가장 앞선 기술을 보유하게 된다. 그 동안 양사는 전략적 제휴를 통해 2005년부터 첨단 로직공정을 공동 개발해왔으며, 이를 통해 65·45·32나노 공정기술을 개발했다.
20나노 이하의 로직 공정은 스마트폰, 스마트패드(태블릿PC) 등 모바일 기기용 반도체뿐만 아니라, 고성능 컨슈머 기기 및 클라우드 컴퓨팅 분야에도 널리 사용될 차세대 공정기술이다.
이번 20나노 이하급 공정 개발은 IBM의 뉴욕연구소와 삼성전자 반도체연구소에서 공동으로 추진할 예정이다. 구체적인 개발 일정목표는 제시하지 않았다.
삼성전자는 이를 위해 뉴욕 알바니 나노테크 센터(Albany Nanotech Center)에 위치한 SRA(Semiconductor Research Alliance)에 참여해, 20나노 미만 차세대 공정개발을 위한 기초 단계인 신물질 개발, 트랜지스터 구조 개발과 같은 선행연구개발도 진행한다.
삼성전자 반도체사업부 시스템LSI 기술개발팀 정은승 전무는 “선행연구개발을 통해 양사의 차세대 공정능력을 강화시키고, 이를 통해 지속적인 기술 리더십을 유지할 것”이라고 밝혔다.
IBM 반도체 부문 마이클 캐디건 대표는 “혁신적인 컨슈머, 컴퓨팅 기기를 만들기 위해 반도체 분야의 협력은 매우 중요하다”며 “선행연구개발 단계에서부터 삼성과 협력하게 되어 매우 기쁘다”고 밝혔다.
한편, 삼성전자·IBM·글로벌 파운드리 등이 참여하고 있는 커먼 플랫폼은 오는 18일 미 산타클라라 컨벤션센터에서 커먼 플랫폼 테크 포럼(Common Platform Technology Forum)을 개최해 차세대 반도체 기술 및 솔루션에 대해 논의하는 자리를 마련할 계획이다.
이 행사에는 우남성 삼성전자 시스템LSI 사장이 참석해 기조연설을 하며 ARM·퀄컴 등의 반도체 업체와 애널리스트 등 다양한 업계 관계자들이 참석할 예정이다.
유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr
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