현대전자, 세계 최소형 256M 싱크로너스 D램 상용제품 개발 성공

현대전자(대표 박종섭 http://www.hei.co.kr)가 차세대 신기술을 적용한 세계 최소형 256M 싱크로너스 D램(이하 SD램)의 상용제품개발에 성공했다고 30일 밝혔다.

이번에 개발한 제품은 세계 처음으로 회로선폭 0.14미크론(1미크론은 100만분의 1m)급의 가공기술을 적용한 것으로 3.3V의 저전압 작동과 데이터 처리속도 166㎒를 구현한 제품이다.

이 제품은 또 현대전자가 지난해 11월 발표한 2세대 256M SD램에 비해 칩 크기가 20% 정도 작을 뿐만 아니라 차세대 신기술을 적용해 제품의 신뢰성을 획기적으로 제고시켜 경쟁력을 높인 점이 특징이다.

현대전자는 이번 신제품 개발로 이미 생산중인 0.18미크론급 256M SD램 및 0.15미크론급 256M SD램을 포함한 다양한 제품군을 보유하게 됨으로써 반도체시장의 다양한 수요에 적극적으로 대처할 수 있을 것으로 전망하고 있다.

이 회사는 특히 이번 신제품 개발과정에서 앞으로 기가급 D램의 상용화를 위한 차세대 신기술을 적용해 제품의 특징개선 및 생산성 향상을 이룩했을 뿐만 아니라 금속 게이트를 적용해 이전 제품에 비해 작동속도를 개선하면서도 회로선폭을 줄일 수 있었다고 설명했다.

또 탄탈룸 산화막을 유전막으로 사용해 전하 저장능력을 획기적으로 향상시켜 완벽한 메모리셀 특성을 얻도록 했고 텅스텐 배선기술로 초고속 데이터 처리속도를 확보하는 등 기가 D램의 양산에 필요한 최신 핵심기술들을 성공적으로 적용함으로써 1기가 D램 양산을 실현할 수 있는 기술력을 확보했다고 밝혔다.

현대전자는 이번 0.14미크론급 256M SD램 제품 샘플을 2분기중 해외 컴퓨터 제조업체들에 제공할 예정이며, 이를 위해 현재 생산시설 투자를 본격적으로 진행하고 있다.

<김성욱기자 swkim@etnews.co.kr>