SK실트론이 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼 대규모 증설에 나선다.
15일 업계에 따르면 SK실트론 미국 법인인 SK실트론CSS는 3년간 3억달러를 들여 SiC 웨이퍼 생산량을 확대하기로 했다.
회사는 영업비밀을 이유로 구체적인 수치를 공개하지 않았지만 이번 투자가 완료될 경우 SiC 웨이퍼 생산능력이 지금보다 6배 늘어날 것이라고 설명했다.
SiC 웨이퍼는 차세대 전력 반도체용으로 주목받는 소재다. SiC 웨이퍼로 만든 전력 반도체는 기존 실리콘 웨이퍼 기반의 칩 대비 전력효율이 뛰어나고 내구성이 높다. 이에 전기차, 에너지, 전기·전자 분야를 중심으로 수요가 빠르게 늘고 있다.
SK실트론은 2019년 듀폰 SiC 사업부를 인수해 이 시장에 진출했으며 수요 확대에 따라 증설을 결정했다. SK실트론 SiC 웨이퍼 고객사는 ST마이크로, 인피니언, 온세미 등으로 전력 반도체 시장 수위 기업이다.
SiC 웨이퍼는 기술 진입 장벽이 높아 세계적으로 양산하는 곳이 드물다. 크리(울프스피드), 투식스, 로옴, SK실트론CSS가 상위 4개 업체로 꼽힌다. SK실트론은 증설로 톱3에 진입하겠다는 목표다.
증설은 내년 초 본격 착공된다. SK실트론CSS는 미국 미시건주 베이시티에 위치한 부지와 공장을 인수했으며, 내년 초부터 SiC 생산을 위한 유틸리티 공사를 시작할 예정이다. 2022년 말부터 양산할 계획이다.
윤건일기자 benyun@etnews.com
