세계 최대 파운드리 업체인 대만 TSMC가 내년 2나노(㎚) 공정 팹을 건설할 계획인 것으로 알려졌다.
타이페이타임스 등 현지 언론보도에 따르면 TSMC는 기술 리더십을 확보하기 위해 내년 2나노 연구개발센터와 팹을 구축할 계획이라고 밝혔다.
TSMC는 25일 가진 온라인 포럼에서 이 같은 내용을 공개하고 부지 선정 작업을 진행 중이라고 덧붙였다. 구체적인 팹 규모와 가동 시점은 공개되지 않았다.
TSMC는 2022년 하반기 3나노 반도체 양산을 목표하고 있어, 2나노 공정은 2023년 하반기 또는 2024년으로 예상된다.
TSMC는 “8000여명의 연구개발 인력을 투입해 2나노 공정 기술을 확보할 방침”이라고 전했다.
TSMC는 2나노 공정에 게이트올어라운드(GAA) 아키텍처를 도입할 것으로 전해졌다. GAA는 전류가 흐르는 통로인 원통형 채널(Channel) 전체를 게이트(Gate)가 둘러싸고 있는 것이다. 기존 핀펫(FinFET)보다 전류 흐름을 세밀하게 제어할 수 있어 차세대 반도체에 적극 활용될 것으로 전망되는 기술이다.
TSMC는 그동안 핀펫 기술을 사용해왔는데 변화를 모색하는 것으로 풀이된다.
현재까지 상용화된 반도체의 회로선폭은 5나노가 가장 최신이다. TSMC와 삼성전자가 올 상반기 5나노 반도체 양산을 시작했다.
TSMC는 세계 1위 파운드리 업체다. 삼성전자는 업계 2위다. 양사는 7나노 이하 미세 반도체 구현에 투자를 강화하며 치열한 시장 경쟁을 벌이고 있다.
7나노 이하 반도체 양산은 기술적 진입 장벽이 높고 막대한 투자금이 들어 세계 파운드리·반도체 업계에서 TSMC와 삼성전자만 도전하고 있다.
윤건일기자 benyun@etnews.com
