일 히타치.NEC, 1GD램 셀 개발

일본의 히타치제작소와 NEC가 1GD램의 기본단위소자 "셀"을 잇따라 개발했다. 일본경제신문 의 최근 보도에 따르면 양사는 이번에 개발한 1GD램급 셀을 미국 샌프란시스코에서 열리고 있는 국제전자디바이스회의(IEDM)에서 발표했다는 것이다.

히타치는 셀의 구성요소인 트랜지스터와 콘덴서를 본래의 성능을 유지하면서 소형화해 0.29평방미크론의 세계최소 셀면적을 실현했다. 히타치는 인접하는 패턴별로 빛의 위상을 비키게 하는 "엑시머위상시프트"와 "전자선노광" 등을 노광기술로 채용, 최소선폭 0.16미크론의 미세화에 성공했다.

콘덴서에서는 지금까지 다결정 실리콘을 전극으로 사용하던 것을 텅스텐으로 바꿔 2개의 전극에 고유전체의 탄탈산화막을 끼워넣는 구조를 채용했다. 이 결과 2개의 전극간격을 줄일 수 있게 돼 소자의 크기를 늘리지 않고도 충분 한 전하를 축적할 수 있는 능력을 확보했다.

한편 NEC가 개발한 셀은 0.2미크론의 전자선노광기술을 사용해 셀면적을 0.

375평방미크론으로미세화했다. 이와함께 종전에는 격자모양으로 배치했던 셀을 인접하는 셀과 상하방향으로 약간씩 비키게 배치하는 방법을 사용했다.

<주문정기자>