삼성전자가 12나노급 공정을 활용한 D램 양산에 돌입했다. 업계에서 가장 미세 공정으로 생산하는 D램이다. 반도체는 미세 공정일 수록 성능이 향상된다. 삼성전자가 메모리 시장에서 또 한 발 앞서 나간다.
삼성전자는 업계 최선단 공정인 12나노 공정으로 16기가비트(Gb) DDR5 D램 양산을 시작했다고 18일 밝혔다. 12나노는 10나노급 대 D램 중 5세대에 해당하는 제품이다. 경쟁사들은 현재 4세대인 14나노대에서 D램을 생산 중이다.
12나노 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 1초에 30기가바이트(GB) 용량 초고화질(UHD) 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 전력 효율은 전 세대와 견줘 약 23% 개선됐다.
삼성전자는 고유전율(하이K) 소재로 D램 커패시터 용량을 확대했다고 설명했다. 커패시터는 전하를 저장하는 장치로 용량이 늘어나면 데이터 구분이 명확해져 D램 오류를 최소화할 수 있다.
삼성전자는 초미세 회로를 그리는 극자외선(EUV) 노광 공정과 함께 첨단 공정 기술을 적용, 신제품 생산성을 전 세대 대비 20% 향상했다고 설명했다.
12나노 D램 양산으로 삼성전자는 후발주자 추격을 따돌리고 한발 앞서 신규 시장을 창출할 전망이다. 회사는 지난해 12월 업계 최초로 12나노 D램 개발에 성공한 후 AMD 등 글로벌 중앙처리장치(CPU) 업체와 호환성 검증을 마쳤다. 약 6개월만에 양산에 들어가면서 차세대 D램 시장을 견인할 전망이다.
신제품이 DDR5 확산을 앞당길지 주목된다. 최근 인텔과 AMD가 DDR5를 지원하는 CPU를 출시하면서 데이터센터를 중심으로 CPU 교체 수요가 커지고 있다. 이에 DDR5 메모리 수요도 늘어날 전망이다. DDR5는 기존 DDR4 대비 수익성이 높아 메모리 업계 신성장 동력으로 주목받는다. 침체된 메모리 시장을 회복시킬 승부수로 손꼽힌다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 전체 D램 중 DDR5 비중은 올해 12%에서 내년 27%로 확대될 것으로 예상된다. 2025년에는 42%까지 커져 빠른 침투가 예상된다.
삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대, 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다. 이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(부사장)은 “업계 최선단 12나노급 D램은 차별화된 공정 기술력을 기반으로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다”며 “삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화해 D램 시장을 지속 선도할 것”이라고 강조했다.
권동준 기자 djkwon@etnews.com
