이동통신 장비의 전력 효율을 위해 기지국 장비 업체들이 저전력 부품 도입에 나서면서 갈륨나이트라이드(GaN) 전력증폭기 시장이 고성장세를 보이고 있다. 기존 실리콘웨이퍼를 사용하는 LDMOS(Lateral Double diffused MOS) 전력증폭기를 GaN 방식 제품이 대체하고 있다. 롱텀에벌루션(LTE)망 구축에 따라 확산 속도는 더욱 빨라질 것으로 기대된다.
28일 업계에 따르면 최근 삼성전자·파나소닉·화웨이·ZTE 등 무선 기지국 업체들은 GaN 전력 증폭기를 속속 도입하고 있다. 업계에서는 GaN 기반 기지국이 전체 기지국 중 약 10%를 차지하는 것으로 추산하고 있다. 이동통신사업자 중에서는 국내 SK텔레콤, LG유플러스, 미국 스프린트, 클리어와이어, 일본 NTT도코모 등이 LTE망에 GaN 기지국을 채택했다.
GaN 웨이퍼 기반 전력증폭기는 실리콘 웨이퍼를 사용하는 LDMOS에 비해 가격이 약 10% 비싸지만 전력 절감 효과는 35% 개선된다. 사용 전압은 LDMOS가 30V, GaN이 48V, 소모 전력은 각각 185W, 119W다.
업계 관계자는 “기지국 무게와 크기를 줄일 수 있고 내구성이 강한 소재를 사용하기 때문에 유지보수 비용이 절감된다”며 “부대 비용 등을 고려하면 원가 상승 부분을 상쇄할 수 있어서 LTE 기지국에는 대부분 GaN 전력증폭기를 사용한다”고 설명했다.
GaN 기반 전력증폭기 시장이 성장하면서 여러 업체가 진출했다. GaN 원천 특허 보유 업체인 미국 크리, 일본 스미토모화학, 국내 RFHIC가 경쟁하고 있다. 특히 중소기업인 RFHIC가 이 시장 점유율 1위를 차지하면서 연간 두배씩 성장하고 있다. 지난해 매출액 460억원을 올린 이 회사는 올해 상반기 지난해 실적을 넘어섰고 올해는 850억원 매출이 예상된다.
오은지기자 onz@etnews.com
