일본 다나까귀금속이 20나노 이하 차세대 D램 공정에 사용되는 커패시터 전극 재료를 세계 처음 개발하는데 성공했다. 올해부터 20나노이하 공정 도입을 서두르는 삼성전자·하이닉스 등 한국 D램 업체들을 겨냥, 연내 양산에 착수한다는 목표다.
26일 업계에 따르면 다나까귀금속은 최근 일본 큐슈대 오고 세이지 교수팀과 D램 반도체용 커패시터 전극을 종전보다 6배 깊이까지 성막할 수 있는 루테늄 재료를 세계 최초로 개발 완료했다. 이 루테늄 재료는 회로 선폭 20나노 이하 차세대 D램 공정용 유기금속화학증착장비(MOCVD)의 성막 소재다. 세공 깊이와 개구경 직경의 비율인 어스펙트비를 미세 공정에 필요한 40 대 1 수준까지 구현할 수 있다. 기존 MOCVD용 루테늄 성막 재료로는 어스펙트비를 최대 6 대 1 정도로 만드는데 그쳤다. 다나까는 일반 금속보다 증발성이 좋은 유기화합물과 금속 원소인 루테늄을 활용, 20나노 이하 D램 공정용 성막 재료를 개발하는데 성공했다.
다나까측은 “주요 D램 업체들이 올해부터 20나노이하 D램을 양산할 것으로 예상돼 연내 제품화에 나설 계획”이라고 밝혔다.
서한기자 hseo@etnews.com
