삼성전자는 대용량 스토리지용 20나노급 64기가비트(Gb) 3비트 낸드플래시 메모리를 이 달부터 세계 최초로 양산한다고 13일 밝혔다.
이 제품은 하나의 셀에 3개의 비트(TLC)를 저장할 수 있는 대용량 메모리 시장을 겨냥해 설계된 제품이다.
삼성전자는 지난해 11월 세계 최초로 30나노급 32Gb 3비트 낸드플래시를 양산한 바 있다.
20나노급 64Gb 3비트 낸드플래시는 30나노급 32Gb 3비트 제품에 비해 생산성이 60% 이상 높고, `토글 DDR(Double Data Rate) 1.0` 방식을 적용해 빠르고 안정적인 성능을 구현했다.
이 제품은 하나의 칩으로 8기가바이트(GB)의 데이터를 저장할 수 있다.
김세진 삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 상무는 “20나노급 64Gb 3비트 낸드플래시 양산으로 대용량 메모리 수요가 급증하고 있는 스마트폰, 태블릿PC, SSD(Solid-State Drive)에 이어, USB 플래시 드라이브(Flash Drive), SD카드와 같은 대용량 메모리 제품 시장을 확대해 나갈 수 있는 솔루션이 강화됐다”고 말했다.
삼성전자는 향후 낸드플래시 제품에 `토글 DDR`을 적용해 대용량 · 고성능 메모리를 원하는 고객의 다양한 요구에 부응하고, 시장 성장을 주도해 나갈 계획이다.
유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr
