주성엔지니어링, CVD장치 美·대만서 특허 획득

　주성엔지니어링(대표 황철주 http://www.jseng.com)의 화학기상증착(CVD)장치가 미국과 대만에서 각각 특허를 획득했다.

　이 회사가 미국에서 취득한 특허는 반도체소자 제조장치 및 장치 클리닝 방법에 관한 것으로, 2개의 전극으로 완벽한 장치 클리닝이 어려웠던 종전 증착장치의 단점을 보완해 간격조정이 용이한 3개의 전극과 플라즈마를 이용해 장치를 클리닝하는 기술이다.

　대만 특허는 고밀도 플라즈마 CVD 및 개필링 방법에 관한 것으로, 웨이퍼 증착공정시 기존 고밀도 플라즈마 증착공정에 웨이퍼 가열효과를 추가, 개필링 성능을 크게 향상시킬 수 있는 기법이다.

　주성엔지니어링은 이를 계기로 이들 기술을 첨단 CVD장비에 채택하는 등 장비 경쟁력 강화에 힘쓸 계획이다.

　<최정훈기자 jhchoi@etnews.co.kr>