일본 4위 반도체업체인 후지쯔가 D램 의존체제를 근본적으로 개혁하기 위해 국내외 D램 거점의 조정작업에 착수한다.
「일경산업신문」에 따르면 지난달 초 영국 더램공장 폐쇄방침을 발표했던 후지쯔는 최근 오는 12월중에 일본내 주력 반도체 전공정 거점인 이와테공장의 생산라인을 일부 폐쇄하고 내년 초에는 미국의 D램 전용 생산거점인 그레셤공장을 비메모리 병행 생산 거점으로 전환한다는 방침을 추가로 밝혔다.
이번 추가 발표는 더램공장 폐쇄만으로는 99년도 반도체사업을 흑자로 전환한다는 목표달성이 불가능할 것이라는 판단에 따른 것으로, 후지쯔는 올 후반과 내년 초에 걸쳐 2개의 주력 공장 생산체제를 전면 재조정해 D램 생산비율을 업계 평균의 절반 이하로 줄일 계획이다.
후지쯔의 반도체 사업은 지난 96년부터 연간 5백억엔 규모의 적자가 계속돼 왔다. 후지쯔는 내년도에 사업을 흑자로 만들고 2000년도에는 10%의 영업이익률을 달성한다는 중기적인 사업목표를 세웠으나 목표달성을 위해서는 대폭적인 D램 전략의 수정이 불가피하다고 판단했다.
그레셤공장은 현재 64MD램을 월 3백만개 정도 양산하고 있으나 내년 초 약 1백억엔을 추가 출자해 시스템 온 칩 등도 병행 생산할 수 있는 공장으로 전환한다.
또 이와테공장은 현재 가동되고 있는 3개 라인 가운데 가장 오래된 라인을 12월 중에 폐쇄할 방침으로 이 과정에서 발생하는 잉여인력은 다른 공장으로 전환배치해 노동조합측의 반발을 최소화하기로 했다.
<심규호 기자>
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