NEC, 정보기록때 전력소비 30% 줄인 플래시메모리 제조기술 개발

일본 NEC가 낮은 전압으로 정보를 기록, 소거할 수 있는 저전압형 플래시메모리 제조 기술을 개발했다.

일본 「일경산업신문」에 따르면 NEC가 개발한 플래시메모리 제조 기술은 정보를 기록하는 메모리 셀의 구조를 변경해 기록시 전압을 20V에서 16V로 낮추는 획기적인 것으로, 4V의 저전압화를 통해 정보 기록시 소비전력을 약 3분의 1정도 줄일 수 있을 뿐 아니라 제조공정도 약 10% 절감할 수 있는 점이 특징이다.

NEC는 새 기술을 차세대 1G급 플래시메모리부터 채용할 방침이다.

이번 새 기술은 메모리 셀 내부의 정보기록용 전극 양 끝에 실리콘 분자를 입힌 뿔 모양의 턱을 설치하고 뿔 표면에 실리콘 분자를 입혀 요철 모양을 만들어냄으로써 정보기록용 전극의 표면적을 현 구조보다 2배 늘렸다.

이에 따라 정보기록용 전극과 정보 기록, 소거용 전극 사이의 절연막 전기용량도 2배로 늘어나 기록 소거용 전극에 걸리는 전압을 지금까지의 20V에서 16V로 낮춰도 기존과 마찬가지 속도로 정보를 기록할 수 있다.

기존의 플래시메모리는 정보를 기록하기 위해 약 2V인 전원 전압을 승압회로를 통해 20V로 높일 필요가 있었다. 그러나 새 구조를 채용할 경우 기록용 전압을 16V로 낮춤으로써 승압회로의 소비전력을 약 50% 절감해 칩 전체의 소비전력을 약 3분의 1 줄일 수 있다.

플래시메모리의 정보 기록 속도를 향상시키는 가장 일반적인 방법은 전압을 높이는 것이나 높은 전압을 형성하기 위해서는 많은 전력 소비를 감수해야 했다. 이 때문에 플래시메모리 개발은 저소비전력화와 고속성을 모두 만족할 수 있는 기술에 초점이 맞춰져 왔다.

<심규호 기자>