DB하이텍은 다음달부터 650V E-Mode GaN HEMT 공정에 대한 8인치 멀티 프로젝트 웨이퍼(MPW) 서비스를 제공한다고 11일 밝혔다.
MPW는 여러 고객이 각각 설계한 반도체를 하나의 웨이퍼 위에 통합해 소량 생산하는 방식이다. 본격적인 대량 생산에 들어가기 전, 설계 오류를 조기에 발견하기 위한 시제품 제작에 사용된다.
이번에 개발한 650V E-Mode GaN HEMT는 질화갈륨(GaN) 소재의 반도체다. 기존 규소(Si) 기반의 반도체에 비해 고전압·고주파·고온에 강하며 전력 효율이 높아 탄화규소(SiC) 등과 함께 최근 차세대 전력반도체로 주목받고 있다.
DB하이텍은 고속 스위칭과 안정성이 특징으로 전기차 충전기, 데이터센터 전력변환기, 5G 통신 분야 등에서 활용도가 높다고 설명했다.
DB하이텍은 집적회로(IC) 형태로 설계할 수 있는 200V GaN 공정과 650V GaN 공정을 2026년 말까지 순차 개발할 예정이다.
또 충북 음성에 있는 상우캠퍼스 생산능력을 확대한다. 신규 클린룸은 8인치 웨이퍼 월 3만5000장을 생산할 수 있는 규모로 증설될 예정이다. 이곳에서 GaN, SiC 등을 생산할 예정이다.
박진형 기자 jin@etnews.com
