삼성전자가 내년에 5세대(1b) 10나노급 D램을 양산한다. 현재 4세대보다 크기는 줄이고 성능을 향상시키는 등 메모리 분야 1위 입지를 굳힌다. 삼성전자는 2030년에 1000단 낸드 개발과 시스템 반도체 통합 솔루션도 제공한다.
삼성전자는 5일(현지시간) 미국 새너제이에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 차세대 반도체 솔루션을 공개했다.
삼성전자는 2017년부터 테크데이를 통해 반도체 기술 로드맵을 선보이고 있다. 올해 행사는 2019년 이후 3년 만에 오프라인으로 진행됐다.
삼성전자는 이날 오전에 진행된 시스템 반도체 세션에서 통합 솔루션 팹리스로 거듭나겠다고 밝혔다. 시스템온칩(SoC), 이미지센서, 디스플레이 구동칩(DDI) 등 900여개 포트폴리오 기술을 융합해서 고객 수요에 맞는 통합 솔루션을 제공하겠다는 것이다.
삼성전자는 인간 기능에 근접한 성능의 최첨단 시스템 반도체도 개발한다. 초지능화·초연결성·초데이터가 요구되는 4차 산업혁명 시대에 대응하기 위해서다. 이를 위해 신경망처리장치(NPU), 모뎀 등 SoC 설계자산(IP) 성능을 향상한다.
동시에 글로벌 파트너사와 협업해 업계 최고 수준의 중앙처리장치(CPU), 그래픽처리장치(GPU)를 구현한다. 사람 눈에 가까운 초고화소 이미지센서와 오감을 감지하고 구현하는 센서도 개발할 예정이다.
박용인 삼성전자 시스템LSI사업부장(사장)은 “사물이 사람과 같이 학습과 판단을 해야 하는 4차 산업혁명 시대에서 인간의 두뇌, 심장, 신경망, 시각 등 역할을 하는 시스템 반도체 중요성은 어느 때보다 크다”며 “삼성전자는 SoC, 이미지센서, DDI 등 주요 기술을 융합해 4차 산업혁명 시대를 주도하는 통합 솔루션 팹리스가 될 것”이라고 말했다.
오후 메모리 반도체 세션에서 삼성전자는 D램과 V낸드 등 차세대 제품 로드맵을 공개하고 내년에 5세대(1b) 10나노급 D램을 양산한다고 밝혔다. 업계에서는 5세대 D램은 11~12나노 공정을 통해 제작하는 것으로 추정하고 있다. 삼성전자는 하이케이메탈게이트(HKMG) 등 새로운 공정과 차세대 제품 구조를 통해 공정 미세화의 한계를 극복한다는 방침이다.
경쟁사 중에는 지난 5월 미국 마이크론 테크놀로지가 '인베스터 데이'에서 5세대 10나노급 D램 양산하겠다고 발표한 바 있다. 삼성전자는 수율과 생산능력 확보로 경쟁력을 확보할 것으로 보인다.
삼성전자는 앞으로 데이터센터용 32Gb DDR5 D램, 모바일용 8.5Gbps LPDDR5X D램, 그래픽용 36Gbps GDDR7 D램 등 차세대 제품을 출시해서 프리미엄 D램 시장을 주도한다는 계획도 발표했다.
삼성전자는 이번 행사에서 7세대 대비 단위 면적당 저장 비트 수를 42% 향상시킨 8세대 V낸드 512 TLC 제품을 공개했다. TLC는 1개 셀에 3개 정보를 저장하는 방식이다. 삼성전자는 올해 안에 세계 최고 용량인 8세대 V낸드 기반 1Tb TLC 제품을 출시한다. 2024년 9세대 V낸드 양산과 2030년까지 1000단 V낸드 개발 계획도 제시했다.
삼성전자는 데이터센터, 인공지능(AI) 등 대용량 데이터 수요에 대응하기 위해 셀당 정보 저장 수가 4개인 QLC 생태계를 확대한다. 전력 효율도 개선, 고객사의 친환경 경영에 기여한다.
이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 “삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리 총 저장용량이 1조GB를 넘고 이 중 절반이 최근 3년 사이 만들어졌을 만큼 디지털 전환을 체감하고 있다”며 “향후 고대역폭·고용량·고효율 메모리를 통해 다양한 플랫폼과 상호진화하며 발전할 것”이라고 말했다.
삼성전자는 2025년 차량용 메모리 시장 1위 달성 목표도 밝혔다. 자율주행, 첨단운전자지원시스템(ADAS), 인포테인먼트(IVI) 등 최적의 메모리 솔루션을 공급함과 동시에 LPDDR5X 및 GDDR7 등 고성능 메모리 수요에 맞는 차세대 솔루션을 제공한다.
삼성전자는 고객에게 차세대 메모리 솔루션 개발·평가를 위한 '삼성 메모리 리서치 센터(SMRC)'를 오픈하고 레드햇, 구글 클라우드 등과 협력한다. 올해 4분기 한국을 시작으로 미국 등 SMRC를 순차적으로 확장한다.
송윤섭기자 sys@etnews.com
