어플라이드 머티어리얼즈가 28일 최선단 공정인 극자외선(EUV) 기반 2차원(D) 공정 미세화와 차세대 3차원(D) 게이트올어라운드(GAA) 공정을 이용해 트랜지스터를 만드는 기술 포트폴리오를 공개했다.
반도체 업계에서 트랜지스터 집적도를 높이기 위해 집중하는 방법은 두 가지다. 하나는 2D 공정 미세화로 EUV 노광기술과 재료공학을 통해 회로 선폭을 축소하는 것이다. 다른 하나는 설계 기술 최적화와 3D 기술로 반도체 설계와 레이아웃을 최적화해 선폭 변화에 구애받지 않고 집적도를 높이는 것이다.
어플라이드는 2D 공정 미세화 고도화를 위해 EUV용 '스텐사 어드밴스드 패터닝 필름'을 이용해 EUV 패턴의 균일도를 높이도록 했다. EUV 구현을 위해 하드마스크 레이어 두께와 식각 특성을 조정할 수 있다.
3D GAA 트랜지스터 구현을 위해 원자층증착(ALD), 열처리 공정, 플라즈마 처리 공정, 계측을 하나의 고진공 시스템으로 통합했다. 누설 전류 증가 없이 성능을 높이거나 성능은 그대로 유지하면서 누설을 10분의 1 이상 줄일 수 있다.
프라부 라자 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 제품 그룹 부사장은 “어플라이드는 고객을 위해 '전력·성능·크기·비용·시장출시기간(PPACt)'을 실현하는 기업이 되겠다”라며 “우리의 고객사가 EUV 기반 2D 공정 미세화를 지속하고, GAA 트랜지스터 제조를 위해 다양한 제품 라인을 발표할 것”이라고 말했다.
김지웅기자 jw0316@etnews.com
