지난해 국내 중소·중견 반도체 기업의 투자액이 68% 급증한 것으로 나타났다. 소재·부품·장비(소부장) 분야의 국산화 시도가 두드러졌기 때문이다. 한국반도체산업협회가 127개 중소·중견업체를 대상으로 집계한 지난해 시설 및 연구개발(R&D) 투자액은 3조1000억원에 달했다. 삼성전자와 SK하이닉스 대비 투자 규모는 크지 않았지만 예년보다 설비 확장, R&D 투자 비중이 늘어났다.
반도체 소부장·후공정 42개 업체는 반도체 패키징, 테스트 분야에 1조8000억원을 투자했다. 이 기간 설비 투자와 R&D 투자는 전년 대비 각각 78%, 57% 증가했다. 네패스·하나마이크론·큐알티(QRT)는 각각 반도체 패키징, 검사, 테스트 솔루션 설비에 투자한 것으로 나타났다.
네패스 패키징 자회사 네패스라웨는 차세대 패키징 공정인 팬아웃-패널레벨패키지(FO-PLP) 생산 능력을 확대했다. 글로벌 고객사 전력관리반도체(PMIC) 양산을 기반으로 생산 인프라를 확충했다. 동진쎄미켐, 솔브레인 등은 일본 수출 규제 품목인 극자외선(EUV) 포토레지스트(PR), 불화수소 소재 국산화에 속도를 냈다. 동진쎄미켐은 지난해 EUV PR를 국산화하면서 주목받기도 했다. 반도체 수요에 대응해 국산화 공급 성과가 나타날 것으로 기대된다.
전력 반도체, AI 반도체를 설계하는 팹리스를 비롯한 시스템 반도체 85개 기업은 전년 대비 70% 늘어난 1조3000억원을 투자했다. 이 기간 설비 투자와 R&D 투자는 전년 대비 각각 76%, 12% 증가했다. 특히 전력 반도체 설비 증설과 AI 반도체 연구 투자 노력이 적극적으로 진행됐던 것으로 나타났다. 차세대 화합물 기반의 전력 반도체 모스펫, 다이오드 소자를 개발하고 성장 시장에 대응하기 위해 국내외 생산 거점에 대한 설비 투자를 단행했다.
KEC, 예스티, 실리콘마이터스 등 전기차 부품에 들어가는 전력 반도체로 구미·포항 등지에 생산 거점을 마련하거나 부산에 신규 팹 전환을 추진하고 있는 것으로 나타났다. 텔레칩스, 넥스트칩 등 AI 반도체 원천 기술 개발과 국책 과제 수행을 위한 R&D 투자도 증가했다. 성장하는 시스템 반도체 분야에 대응하기 위한 연구 인프라 개발에 투자한 것으로 나타났다.
반도체 대기업인 삼성전자와 SK하이닉스, DB하이텍, LX세미콘, 키파운드리 등도 설비 증설과 R&D 투자를 강화했다. 메모리 반도체 첨단 공정 개발 또는 공급 부족 품목인 8인치 증설 투자에 나선 것으로 나타났다. 삼성전자는 국내 최대 투자 업체로, 지난해 국내외 반도체에 44조원을 투입한 것으로 집계됐다. EUV 기반 D램과 낸드 플래시 등 메모리 대응, 평택 EUV 첨단 공정 등 파운드리 분야에 투입됐다. SK하이닉스도 메모리 시장 수요에 맞춰 시설 투자와 보완 투자 등에 13조원을 투자했다.
<표>중소 반도체 투자 추이
김지웅기자 jw0316@etnews.com
