D램 `비트크로스`발생, 주력 제품 1Gb에서 2Gb로 이동중

2Gb 제품 가격이 1Gb 제품 두 개 가격보다 저렴해지는 이른바 ‘비트크로스’가 최근 발생하면서 D램 주력 제품이 1Gb에서 2Gb로 빠르게 이동 중이다.

　2Gb 제품은 미세공정에서 앞선 국내기업들이 시장을 선도하는데다가 1Gb에 비해 수익성도 높아 최근의 가격 폭락 여파를 완화하는 효과를 낼 것으로 기대된다.

　22일 관련업계 및 D램익스체인지에 따르면 지난 21일 2Gb DDR3 D램 현물가격은 1.94달러로 1Gb DDR3 D램 현물가인 1.15달러의 두 배(2.3달러)보다 16% 가까이 저렴해졌다.

　현물가 기준으로 비트크로스는 지난 10월 초 발생하기 시작해 점차 가격 격차가 확대되는 추세다. 반도체기업이 주로 대형 거래처와 거래하는 가격인 고정거래가도 비트크로스에 근접해 있다. 다만 격차가 확대되는 현물가와 달리 2Gb DDR3 D램 고정가가 1Gb DDR3 D램 고정가의 딱 두 배 정도의 격차를 유지하면서 아직은 한쪽으로 쏠림현상이 발생하지 않고 있다.

　업계 한 관계자는 “대용량·고사양의 애플리케이션이 확대되면서 동일한 크기에 두 배의 용량 제공이 가능한 제품에 대한 요구가 증가하고 있다”며 “미세공정 기술이 안정화되면서 대용량 제품 가격이 하락한 것도 D램 주력 제품의 이동을 유도하고 있다‘고 말했다.

　비트크로스가 발생하게 되면 수요처 입장으로서는 당연히 비트당 단가가 낮은 대용량 제품을 구매하기 때문에 주력 제품이 이동된다. 반도체기업으로서는 같은 웨이퍼에서 1Gb를 제조하는 것에 비해 2Gb를 제조하는 것이 더 수익성이 높지만 미세공정 기술 확보가 관건이다.

　국내업체들은 앞선 미세공정 기술을 기반으로 2Gb 제품 생산을 늘리면서 D램 주력 제품 교체를 주도하고 있다. 삼성전자는 현재 40나노 공정을 기반으로 2Gb DDR3를 양산 중이며 일부는 30나노 공정까지 적용했다. 하이닉스도 지난해 말부터 40나노 공정을 적용한 2Gb DDR3 D램을 양산하고 있다. 삼성전자와 하이닉스는 올 연말 기준으로 2Gb 제품 출하량을 전체 D램 생산량의 50%까지 끌어올릴 계획이다.

　반면에 경쟁사인 대만기업이나 엘피다·마이크론 등도 최근에서야 2Gb 제품 생산에 들어간 것으로 알려져 상대적으로 수익성을 높은 2Gb 제품은 당분간 국내기업들이 시장을 주도할 것으로 전망된다.

유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr