“실리콘 기술은 다양한 기술을 접목해 10나노 이하 제품까지 성공적으로 진화할 것입니다.”
김기남 삼성전자 종합기술원 원장은 6일(현지시각) 미국 샌프란시스코에서 열린 ‘2010 IEDM(International Electron Devices Meeting)’에서 기조연설을 통해 이같이 말했다.
김 원장은 ‘미래 실리콘 기술 전망:도전과 기회(From the Future Si Technology Perspective: Challenges and Opportunities)’를 주제로 한 연설을 통해 “D램, 플래시 메모리, 로직 디바이스 등 실리콘 기술이 여러 도전들에 직면해 있는 것은 사실”이라고 설명하고 “그럼에도 불구하고 10나노미터 이하로 계속 발전해 가는 데 한계는 없을 것”이라고 밝혔다.
현재 대다수 전문가들이 기존 공정으로는 20나노가 반도체의 한계로 지적해온 만큼 기술 도입을 통해 새로운 반도체 시대를 열어갈 수 있음을 강조한 것이다.
그는 “스마트 디바이스의 등장으로 2020년께는 컴퓨팅 파워와 저장 용량이 현재보다 60배 이상이 요구될 것”이라며 이를 충족시키기 위해 “저전력·고용량·고집적도의 실리콘 기술은 앞으로 더욱 발전할 것”이라고 말했다. 김 원장은 “실리콘 반도체 한계는 신공정·신구조·신물질을 통해 극복될 수 있을 것”이며 “실제로 새로운 구조를 적용한 3차원 낸드플래시, 새로운 물질을 도입한 Re램(저항메모리) 등 차세대 실리콘 기술이 대표적 사례”라고 밝혔다.
그는 특히 “3D IC는 현재 기술 노드 수준에서도 실행 가능한 고집적·고용량 솔루션이 될 것”이라고 강조했다.
김 원장은 또 “반도체에 주로 사용됐던 실리콘 기술과 화합물 반도체, 광기술 등이 융합된 새로운 기술이 부상하게 될 것”이라며 “바이오헬스·에너지·자동차·로봇 등 여러 분야에 융합기술이 적용되어 미래 실리콘 산업의 새로운 성장엔진이 될 수 있을 것”이라고 밝혔다.
김 원장은 이날 강연에서 삼성종기원의 새로운 LED 소재인 질화갈륨(GaN)을 이용한 LED 개발 성공사례를 설명했으며 200㎓의 주파수대역을 갖는 그래핀 RF 트랜지스터도 발표했다.
유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr
