삼성전자 황창규 사장, 미 스탠퍼드대 강연

　황창규 삼성전자 메모리사업부 사장이 13일(현지시간) 미국 스탠퍼드대에서 교수와 학생, 재미과학자 등 400여명을 대상으로 ‘차세대 IT산업에서 메모리반도체의 역할’을 주제로 강연했다.

　황 사장은 강연에서 최근 개발한 70나노 4기가 낸드형 플래시 메모리, 80나노 512메가 D램 양산기술, 퓨전메모리, P램·F램·M램 등 차세대 메모리반도체, 3차원 트랜지스터 설계(RCAT:Recess Channel Array Transistor) 기술 등에 대해 설명하고 패러다임의 전환기를 맞고 있는 반도체시장에서 메모리반도체의 중요성을 강조했다.

　1891년에 개교한 스탠퍼드대는 실리콘밸리의 모태로 평가받고 있고 트랜지스터를 발명한 윌리엄 쇼클리가 교수로 재직한 반도체의 메카로, 황 사장도 지난 85년부터 89년까지 전기공학과 책임연구원으로 근무한 바 있다.

　황 사장은 이날 강연에 앞서 짐 플러머 스탠퍼드대 공대학장, 니시 요시오 교수, 크리시나 사라스와트 교수 등과 나노기술을 비롯한 반도체 공정기술 분야에서 삼성전자와 스탠퍼드대학간의 산학협력에 대해 논의했다. 또 스탠퍼드대 네트워크기술연구센터(SNRC)도 방문, 연구진들과 미래 정보통신기술에 대해 광범위한 의견을 교환했다.

　삼성전자 관계자는 “이날 강연을 통해 반도체의 발상지에서 세계 최첨단 메모리반도체 기술을 선보이고 메모리 미래시장에 대한 구체적인 비전을 제시, 업계는 물론 과학기술계 전체에서 한국의 위상을 드높이는 계기가 됐다”고 말했다.

　<최정훈기자 jhchoi@etnews.co.kr>