삼성전자 황창규 사장 ISSCC 기조연설

　주기억장치(CPU) 중심의 반도체 산업 발전사가 앞으로는 메모리 중심으로 쓰여질 것이라는 새로운 반도체 성장이론이 등장했다.

　삼성전자 디바이스솔루션네트워크총괄의 황창규 메모리사업 담당 사장은 5일(한국시각) 미국 샌프란시스코에서 열린 국제반도체학회(ISSCC)의 기조연설을 통해 “메모리반도체가 지금까지 PC 등 특정 제품에 국한된 쓰임새에서 벗어나 모든 디지털 전자기기로 넓어지고 기술기반이 되면서 CPU에 이어 새로운 반도체 성장시대를 열 것”이라고 말했다.

　이는 메모리가 CPU를 넘어 반도체 산업과 기술의 핵심엔진 역할을 한다는 것으로 지난 37년 동안 ‘18개월마다 칩의 성능이 두배로 증가한다’는 CPU 중심의 반도체 성장이론인 무어의 법칙에 익숙해진 세계 반도체 산업계에 적지않은 반향을 일으킬 전망이다.

　황 사장은 “메모리 동작 주파수는 현 400㎒가 2010년께 1.5㎓ 수준으로 약 4배 성장하고 저장밀도는 80배, 데이터 전송속도는 10배 성장해 급속도의 기술진전을 이뤄 CPU와의 격차를 줄일 것”이라면서 “최근 다기능 PC와 게임기, 동영상 휴대폰 등으로 확대된 메모리 소비도 2005년을 전후로 홈네트워킹·인터넷기기 등 모든 전자제품이 디지털화되는 패러다임의 변화로 급증할 것이며, 저장매체도 테이프와 CD에서 메모리카드로 대체될 것”이라고 말했다.

　그는 또 “메모리반도체는 SD램과 같이 하나의 메모리를 PC와 서버 등에서 공통으로 쓰는 범용표준메모리시대(2000년 이전)와 서버용 고용량 메모리, 이동전화용 초절전 메모리, 네트워크 시스템용 초고속 메모리 등 응용 시스템에 최적화된 시스템솔루션메모리(2000∼2005년)를 거쳐 대용량과 고속, 정보저장성은 물론 비메모리의 일부 특성까지 모두 합친 퓨전메모리시대(2005년 이후)로 진화한다”고 주장했다. 그림 참조

　한편 황 사장은 반도체 공정기술 및 시스템 발전에 기여한 공로를 인정받아 국제전기전자공학회(IEEE)가 부여하는 최고 권위의 회원 등급인 ‘IEEE펠로’에 선정돼 이날 회원증서를 받았다.

　삼성전자는 또 이번 학회에 ‘4기가 반도체 설계기술 논문’을 발표해 최우수논문상을 수상했다. 4기가 D램 설계 기술은 △세계 처음으로 4기가비트 D램을 완전한 메모리 저장 셀 동작 구조로 구현하며 △0.1미크론(㎛)의 벽에서 성능상 심각한 문제인 셀간의 연결 결함문제를 해결하는 D램 배치 설계구조 기술로 이뤄져 삼성은 이로써 상용화에 성큼 다가섰다.

　<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>