삼성전자는 휴대기기용 256Mb 낸드형(NAND:데이터 저장형) 플래시메모리칩을 출시했다고 22일 밝혔다.
0.15미크론(1㎛은 100만분의 1m)의 미세회로 공정기술을 적용한 이 제품은 △1.8V의 동작 전압으로 JEDEC의 표준전압 규격인 1.65∼1.95V를 충족시키며 △16비트 입출력(I/O)의 데이터 처리능력을 갖췄고 △가로 세로 높이 9×11×0.8㎜의 크기로 휴대기기용 반도체로 적합하다.
또 기존 제품에 비해 전력소모량을 30% 이상 줄여 휴대기기 배터리의 수명 문제도 개선했다.
삼성전자는 이번에 단품을 출시했으며 내년 1분기에는 256Mb 낸드형 플래시메모리와 D램을 적층한 복합칩을 출시할 계획이다. 이 복합칩은 주문형 비디오 및 오디오(VOD·AOD), 영상데이터 처리가 가능한 2.5세대, 3세대 휴대폰에 쓰인다.
삼성전자는 내년 상반기중 128Mb부터 1Gb까지 낸드형 플래시메모리 전 제품에 1.8V의 동작전압 및 16비트 I/O의 데이터 처리능력을 확대 적용할 계획이다.
삼성전자는 기존 노어형(NOR:코드저장형) 플래시메모리에 익숙한 시스템업체들을 대상으로 내년초부터 낸드형 플래시메모리 드라이버/파일 시스템과 디자인용 보드를 제공해 낸드형 시장을 확산시킬 방침이다.
<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>
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