삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 'HBM4E 12단' 샘플을 글로벌 고객사에 공급하며 인공지능(AI) 메모리 시장 주도권 강화에 나섰다. HBM4 양산 출하에 이어 후속 제품 샘플 공급까지 시작하면서 차세대 AI 가속기용 메모리 시장 대응 속도를 높이고 있다.
삼성전자는 HBM4E 12단 샘플을 주요 글로벌 고객사에 공급했다고 29일 밝혔다. HBM4E는 HBM4의 성능을 한 단계 끌어올린 차세대 제품으로, 대규모언어모델(LLM)과 AI 데이터센터 등 고성능 연산 환경을 겨냥한다.
이번 제품은 핀당 동작 속도 14Gbps에서 최대 16Gbps를 지원한다. 전작 HBM4 대비 20% 이상 향상된 수준이다. 단일 스택 기준 대역폭은 초당 3.6TB에 달한다. AI 가속기의 연산 성능을 좌우하는 데이터 처리 속도를 높여 차세대 AI 시스템 수요에 대응할 수 있다.
용량도 확대됐다. HBM4E 12단 제품은 48GB 용량을 구현했다. 삼성전자는 고객사 요구에 따라 32GB 8단, 64GB 16단 제품까지 라인업을 확대할 계획이다. AI 서버와 데이터센터별 성능·용량 요구가 다양해지는 만큼 제품 선택지를 넓혀 시장 대응력을 높이겠다는 전략이다.
HBM4E에는 삼성전자의 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 4나노 파운드리 기반 로직 다이가 적용됐다. 전작 HBM4에서 검증된 공정 조합을 활용해 성능과 양산 안정성을 동시에 확보했다는 평가다. 메모리와 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징 역량을 모두 보유한 삼성전자의 턴키 솔루션 경쟁력이 차세대 HBM 개발에도 반영된 셈이다.
전력 효율과 열 특성도 개선됐다. 삼성전자는 저전력 설계와 패키징 구조 최적화를 통해 전작 대비 에너지 효율을 16%, 열 저항 특성을 14% 이상 개선했다. AI 연산 부하가 커질수록 메모리 발열과 전력 소모가 핵심 과제로 떠오르는 만큼, 데이터센터 운용 효율을 높이는 데 기여할 것으로 기대된다.
삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객사 일정에 맞춰 HBM4E 양산 공급에 나설 예정이다. 지난 2월 양산 출하한 HBM4 역시 공급 확대가 진행 중이다. HBM4가 1c D램과 4나노 베이스 다이 조합을 기반으로 양산되고 있는 만큼, HBM4E의 양산 전환 가능성도 높다는 관측이 나온다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 기술 리더십을 시장에 각인시켰다”며 “선제적인 생산 인프라 투자와 기술 경쟁력을 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장 성장을 주도하겠다”고 말했다.
삼성전자 HBM4는 지난해 12월 최종 인증 단계인 SiP(System in Package) 테스트에서 11.7Gbps의업계 최고 수준 속도를 입증하며 최고 등급 평가를 받은 바 있다.
박유민 기자 newmin@etnews.com
