SK하이닉스가 AI 반도체 수요 확산에 맞춰 HBM4 양산과 고대역폭 낸드(HBF) 개발 등 고성능 메모리·스토리지 전략을 강화한다.
29일 SK하이닉스 2025년 4분기 실적발표에서 김기태 HBM 영업·마케팅 담당 부사장은 “HBM4 역시 HBM3나 HBM3E와 마찬가지로 압도적 시장 점유율을 목표로 한다”고 밝혔다.
앞서 전날 공시된 SK하이닉스의 2025년 실적은 역대급 수준이었다. 매출 97조1500억원, 영업이익 47조2063억원(영업이익률 49%)을 기록했다. 4분기 실적도 매출 32조8267억원, 영업이익 19조1696억원(영업이익률 58%)으로 사상 최대치를 경신했다.
김 부사장은 “SK하이닉스는 HBM2E 시절부터 고객, 인프라 파트너사와 원팀으로 확보해 HBM 시장을 개척해 온 선두 주자“라며 ”단순히 기술이 앞선 수준을 넘어서 그동안 쌓아온 양산 경험과 품질에 대한 고객 신뢰는 단기간에 추월할 수 없는 영역”이라고 강조했다.
시장점유율 확대와 함께 고객 대응력 강화에도 방점이 찍혔다. 장기공급계약(LTA)에 대해서 박준덕 D램 마케팅 담당 부사장은 “고객들은 LTA를 다년 계약 형태로 원하고 있지만, 캐파(CAPA) 제약으로 모든 고객 요청에 대응하기는 어렵다”며 “고객과 장기적인 운영 안정성을 높일 방안을 찾아 나가겠다”고 설명했다.
이어 송현종 사장은 “AI향 메모리 수요가 급증한 반면 공급 확대에는 시간이 소요되기 때문에 수급 불균형이 발생한다”며 “단기 실적보다 고객 수요를 안정적으로 충족시키는 것이 중요하다”고 덧붙였다. 현재 1b D램 수율 안정화가 진행 중이며, 1c D램으로의 선단 공정 전환도 속도를 내고 있다고 설명했다.
생산 측면에서는 M15X 팹의 조기 생산력 극대화, 용인 1기 신규 팹 건설, 청주 패키지·테스트(P&T)7, 미국 인디애나 첨단 패키징(Advanced PKG) 팹 준비 등 대규모 설비 투자가 동시 진행 중이다. 올해는 전년 대비 상당한 수준의 투자 확대가 예상되지만, 회사는 설비투자 규율을 유지하며 고객 수요에 유연하게 대응할 방침이다.
제품 전략도 한층 구체화했다. 고용량 서버 D램과 함께 소캠2(SoCAMM2), GDDR7 등 AI 특화 메모리 제품군을 확대하고, 10나노급 6세대(1c나노)미세공정 전환을 가속할 방침이다.
낸드 부문에서는 321단 전환을 통해 제품 경쟁력을 극대화하고, 자회사 솔리다임 QLC 기업용 SSD(eSSD)를 활용해 AI 스토리지 수요에 적극 대응한다는 구상이다. 특히 차세대 245TB 초고용량 제품 개발을 통해 AI용 스토리지 시장 선점을 목표로 하고 있다.
송창석 낸드마케팅 담당 부사장은 “초고성능 eSSD를 준비 중”이라며 “HBM(고대역폭메모리)의 확장 개념인 HBF 기술을 구체화하고 있고, 고객사 요구, 초고용량 eSSD 라인업을 강화해서 다양하고 변화하는 AI 시장에 입체적으로 대응하려고 한다”고 강조했다.
향후 시장 전망에 대해선 공급 업계 전반의 캐파 제약으로 D램과 낸드는 각각 20% 이상, 10% 후반 증가 수준에 머물 것으로 내다봤다.
미국 반도체 관세 부과 여파에 대해 송현종 사장은 “현재로서는 양국 정부 간의 협의를 지켜보는 상황”이라면서 “회사 방향성에 대해선 추후 말씀드리겠다”고 했다.
박유민 기자 newmin@etnews.com
