파운드리 반도체 기업 SK키파운드리가 더 높은 전압을 견디면서도 효율적인 반도체를 만드는 새로운 공정을 개발했다. 연내 양산을 목표로 국내외 주요 고객들과 본격 제품 개발에 나선다.
SK키파운드리(대표 이동재)는 최근 4세대 200볼트(V) 고전압 0.18micron BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정을 출시했다고 28일 밝혔다. BCD는 아날로그 신호를 처리하는 기술(Bipolar), 디지털 연산을 하는 기술(CMOS), 고전압을 견디는 기술(DMOS)을 하나의 칩에 합친 공정이다.
최근 자동차 전동화와 데이터센터 증설로 전기차(12V→48V)와 AI 데이터센터(최대 800V)의 요구 전압도 급격히 높아지고 있다. SK키파운드리는 이런 변화에 발맞춰 100V 이상 고전압에서도 안정적으로 작동하는 전력 반도체 제조 기술을 이번에 선보이게 됐다.
이번 4세대 공정은 기존 3세대 대비 전력 효율성과 고온 내구성을 나타내는 특성온저항(Rsp)과 항복전압(BVDSS) 특성을 20% 개선했다. 덕분에 칩 크기를 줄이면서도 전력 손실은 최소화해 '가성비' 높은 칩을 만들 수 있게 됐다.
또한 까다로운 자동차용 부품 신뢰성 평가 규격 'AEC-Q100 Grade 0'을 충족했다. 이는 극한 환경에서도 높은 신뢰성이 요구되는 차량용 전장 부품에도 즉시 적용할 수 있다는 의미다.
이동재 SK키파운드리 대표는 “AI 서버와 차량 전장 시스템의 고전력화로 100V 이상 BCD 공정 수요가 빠르게 증가하고 있는데, 벌크 실리콘 기반에서 고전압 BCD 공정을 제공하는 파운드리가 드문 상황”이라며 “향후 전력 반도체 고객 요구에 맞춰 공정 기술을 지속 고도화해 나갈 계획”이라고 말했다.
이형두 기자 dudu@etnews.com
