매그나칩반도체 유한회사(이하 매그나칩)는 태양광 인버터에 특화된 6세대 650V 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor) 신제품 2종을 출시했다고 했다고 밝혔다.
이번에 공개된 6세대 IGBT 신제품은 폴리이미드 절연층을 적용하여 고전압 고습 고온 역 바이어스(HV-H3TRB) 테스트를 통과하면서 제품의 우수성을 입증했다. 특히, 고온·고습 등 극한 환경에서 동작하는 산업용 기기에서 높은 신뢰성을 보여준다. 또한, 고속 역병렬 다이오드가 내장되어 잔존 전류를 빠르게 제거하고 스위칭 손실을 줄이면서 최대 175°C의 동작 온도 범위를 보장한다.
두 신제품 중 MBQ40T65S6FHTH는 전도 손실 저감 성능이 뛰어나다. 이전 세대 IGBT 제품에 비해 전도 손실은 25%가량 줄여주고, 15kW 태양광 인버터 기준으로 볼 때 시스템 내 효율을 15%가량 높인다.
MBQ40T65S6FSTH은 스위칭 손실을 줄이는 것에 중점을 두고 설계되었다. 이전 세대보다 스위칭 손실을 15% 줄여주고, 전도 손실은 약 8% 감소된다. 3kW 태양광 인버터 기준으로 시스템 내 효율을 약 11% 높여준다.
이 신제품 IGBT 2종은 업그레이드된 성능으로 높은 신뢰성과 효율성을 요구하는 태양광 인버터, 산업용 모터 드라이브, 전원 공급 장치(power supply units), 무정전 전원장치 (uninterruptible power supplies) 등과 같은 애플리케이션에 적합하다.
김영준 매그나칩 대표이사는 “2025년 하반기에는 차세대 전력 반도체 제품군을 대폭 확대하는 전략의 일환으로 5A부터 75A까지 다양한 전류 정격의 6세대 650V IGBT 제품을 공개할 계획이다”며 “우리는 2007년 전력 반도체 사업에 진입한 이후 약 1,000개의 제품을 설계했고, 230억 개가 넘는 제품을 제조하여 출하했다. 앞으로도 재생 에너지 시장의 변화하는 수요를 충족하는 매그나칩 IGBT 제품 라인업을 지속해서 강화해 나갈 것”이라고 밝혔다.
이원지 기자 news21g@etnews.com
