어플라이드 VS TEL 'EUV 공정 단축 경쟁' 시작

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TEL 아크레비아

반도체 '극자외선(EUV) 노광 공정' 단계를 줄이기 위해 어플라이드머티어리얼즈와 도쿄일렉트론(TEL)이 맞붙었다. EUV 노광 공정은 초미세 회로를 그리는 데 필수지만, 공정 횟수가 늘수록 비용이 급증한다. 글로벌 반도체 장비 시장을 주도하는 두 회사가 이 문제를 해결할 신규 장비를 개발, 본격적인 경쟁 체제에 돌입했다.

TEL은 최근 미세 회로 패턴을 수정하는 반도체 장비 '아크레비아'를 출시, 시장 공략에 착수했다. TEL 독자 기술인 '가스 클러스터 빔(GCB) 시스템'을 적용한 이 장비는 높은 에너지 빔을 조사, 미세 회로 치수와 모양을 조정한다. TEL 관계자는 “로직 및 반도체 위탁생산(파운드리) 기업 고객과 함께 장비 성능 평가를 진행 중”이라며 공급 임박 사실을 시사했다.

신규 장비는 EUV 공정 단계를 줄이는 게 핵심 목적이다. EUV 공정은 수나노미터(㎚) 수준의 반도체 회로를 구현하지만 빛을 쏘는 노광 과정 때 마다 상당한 비용이 든다. 특히 3㎚ 정도의 초미세 회로를 그리려면 두 차례 이상 빛을 조사하는 '멀티 패터닝' 공정이 필요한데, 이 경우 생산 비용이 급격히 늘어난다. 회로를 미리 그려놓는 노광 공정 핵심 부품 '포토마스크'를 교체해야하기 때문이다. EUV 포토마스크는 한장에 수억원에 달하는 것으로 알려졌다.

TEL 아크레비아는 기존에 새겨진 회로를 수정해 EUV 노광 횟수를 최소화할 수 있다. 여러 차례 노광을 진행하면서 발생하는 비용과 공정 시간을 단축할 수 있다는 의미다. TEL 측은 “거친 회로 패턴 측면을 보완하고 확률적 노광 결함을 줄여 반도체 수율도 개선할 수 있다”고 부연했다.

TEL은 어플라이드와의 한판승부가 예상된다. 어플라이드는 지난해 이온 빔을 이용해 회로를 늘리거나 제거하면서 수정하는 '센튜라 스컬프타'를 세계 최초 개발했다. 이 역시 EUV 노광 공정 단계를 단축하는 것이 주 목적이다. 어플라이드는 이를 통해 웨이퍼 한장 당 50달러 이상 생산 비용을 줄일 것으로 내다봤다.

TSMC와 인텔이 EUV 라인에 해당 장비를 도입했고, 삼성전자도 4㎚ 공정에서 성능 평가를 진행하고 있다. 어플라이드는 센튜라 스컬프타 출시 1년만에 2억달러(약 2700억원)의 매출을 올리는 등 빠르게 성과를 거두고 있다.

어플라이드는 EUV 공정 단축 장비로 향후 몇년 동안 매년 약 5억달러 매출을 올릴 것으로 전망했다. 비용 절감과 수율 개선을 위해 반도체 제조사의 수요가 확대될 것이란 판단에서다. 다만 TEL의 참전으로 시장을 두고 치열한 경쟁이 불가피해졌다.

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어플라이드 센튜라 스컬프타

반도체 업계 관계자는 “미세 회로를 구현하기 위해 EUV 공정이 확산되고 있지만 반도체 제조사 입장에서는 비용 부담이 큰 것이 사실”이라며 “이를 해결할 방법으로 회로를 직접 수정하는 기술에 대한 수요가 점차 늘어날 것”이라고 밝혔다.


권동준 기자 djkwon@etnews.com


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