시장 선두 삼성과 격차 좁히기
고성능 D램 확보 HBM 주도권
EUV 노광장비 투자 뒤따를듯
고성능 D램 확보 HBM 주도권
EUV 노광장비 투자 뒤따를듯
SK하이닉스가 차세대 D램 양산을 앞당긴다. 10나노미터(㎚)급인 6세대 D램(1c) 개발 및 양산 준비를 연내 마무리한다. 시장 선두 삼성전자와의 격차를 좁히기 위한 조치로, SK하이닉스 추격이 주목된다.
1일 업계에 따르면 SK하이닉스는 코드명 '스피카'로 개발 중인 1c D램을 올해 4분기 양산과정으로 이관할 것으로 파악됐다. 양산 이관은 기술 개발을 마치고 대량 생산 체제로 전환하는 작업으로, 쉽게 말해 양산을 추진한다는 얘기다.
이 사안에 정통한 관계자는 “SK하이닉스는 오는 11월 1c D램을 양산 이관할 계획이다. 이를 좀 더 당기는 방안까지 고려하고 있는 것으로 안다”고 말했다.
SK하이닉스가 양산을 서두르는 이유는 D램 1위인 삼성전자를 추격하기 위해서다. 삼성전자는 올해 말 1c D램 양산을 목표하고 있다.
SK하이닉스가 양산 이관과 동시에 대량 생산에 들어가면 삼성전자와 시기적으로 큰 차이가 없어지게 되는 셈이다.
삼성전자와 SK하이닉스는 그동안 D램 개발 기준 약 6개월, 수율 90% 도달까지 1년 정도의 차이를 보였다는 게 업계 평가다.
SK하이닉스는 이 차이를 극복하고 더욱 좁히기 위해 개발을 독려하고 양산 이전도 서두르고 있는 것으로 풀이된다.
SK하이닉스가 선점하고 있는 고대역폭메모리(HBM) 시장에서도 경쟁 우위를 지속 이어가려면 차세대 D램 확보가 필요하다. HBM은 D램을 수직 적층하기 때문에 우선 고성능 D램이 전제돼야 한다.
1c D램 양산이 가시화되면서 대대적인 초미세 공정을 위한 극자외선(EUV) 노광장비 투자도 뒤따를 전망이다. 1c D램은 EUV 공정이 필요한 레이어가 6개로 1b D램(3개)의 2배, 1a D램(1개)의 6배다. SK하이닉스가 보유한 EUV 노광장비는 지난해 말 기준 5대로, 올해 8대 가량을 추가한다. 이어 내년 1c D램 양산 등을 고려해 단기적으로 누적 20대 안팎으로 늘릴 것으로 전해졌다.
SK하이닉스 관계자는 “1c D램은 순조롭게 개발 중이나 아직 개발이 완료되지 않은 만큼 구체적인 생산 계획을 밝힐 수 없다”고 말했다.
박진형 기자 jin@etnews.com
