이노사이언스가 지난해 자사의 8인치 'GaN-on-Si HEMT' 디바이스가 1억 유닛 출하를 달성했다고 21일 밝혔다.
'GaN-on-Si HEMT' 디바이스는 △스마트폰 내부 파워 스위치 △LED Lighting △자동차용 파워 모듈 등 다양한 어플리케이션에 적용되고 있다.
이노사이언스는 공간을 절약하고 효율성을 높이며 온도 상승을 제한하기 위한 세계 최초의 양방향 GaN HEMT인 V-GaN 디바이스를 양산해 스마트폰에 적용하고 있으며 30-150V, 650V, 700V 등 광범위한 GaN 디바이스를 제공한다.
또한 한국, 미국, 유럽에 현지 영업 및 마케팅 고객 지원 팀을 신규로 설립해 주요 반도체 수요 지역에서 영업 및 애플리케이션에 대한 적극적인 지원을 추진하고 있다.
홍근의 이노사이언스코리아 지사장은 "이노사이언스는 GaN 디바이스 판매의 기하급수적인 성장을 촉진하기 위해 새로운 고객 기반을 구축하고 있다"며 "고품질 8인치 웨이퍼 제조 시설에 대한 투자를 통해 업계 최초로 1억개의 GaN 디바이스를 출하했고 이는 대량 생산 능력의 강점을 입증한 것"이라고 전했다.
전자신문인터넷 구교현 기자 kyo@etnews.com
