무라타 제작소는 차세대 파워 반도체 중 하나인 GaN 디바이스 게이트 드라이버용 절연 DC-DC 컨버터 'MGN1 시리즈'를 상품화 했다고 12일 밝혔다.
최근 급속 충전이 요구되는 전기차 충전소 등에서 높은 전압을 견딜 수 있고 전력 손실이 적은 차세대 파워 반도체가 보급되기 시작하고 있다.
특히 GaN은 고주파로 스위칭 동작을 할 수 있는 것이 특징이기 때문에 스위칭 동작에 의해 발생하는 전압 변동과 고전압을 견딜 수 있는 절연 DC-DC 컨버터가 요구되고 있다.
무라타 제작소에서 개발한 MGN1 시리즈는 △스위칭 동작 시 발생하는 전압 변동에 의해 흐르는 전류 저감 △커먼 모드 과도 내성(CMTI : common mode transient immunity) 보유 △고전압 인가 시 절연 특성 유지 등의 기능이 있으며 낮은 높이로 설계돼 한정된 공간에 실장할 수 있는 장점이 있다.
무라타 제작소 관계자는 "차세대 파워 반도체 시장에서 경쟁 우위를 확보하기 위해 지속적인 노력을 다할 것"이라고 전했다.
전자신문인터넷 구교현 기자 kyo@etnews.com
