SK하이닉스가 첨단 D램 생산을 위해 램리서치 건식(드라이) 레지스트 제조 기술을 채택했다. 첨단 반도체 공정인 극자외선(EUV) 노광 공정 해상도와 생산성, 수율을 높이는 핵심 기술이다. SK하이닉스와 램리서치는 습식 레지스트 공정 한계를 극복, 첨단 반도체 생산에 박차를 가한다.
램리서치는 건식 레지스트 하층막과 건식 개발 공정을 SK하이닉스에 공급, 첨단 D램 회로 구현에 활용한다고 15일 밝혔다. 램리서치가 ASML, 벨기에 반도체 연구소 아이멕(IMEC)과 협력해 개발한 건식 레지스트 기술은 EUV 노광 공정 감도와 웨이퍼 통과 시 해상도를 크게 향상시킬 수 있다. 기존 습식 레지스트 공정에 견줘 에너지 소비량이 적고 원료를 5~10배 적게 사용할 수 있다. 이를 통해 EUV 공정 생산성과 반도체 수율을 개선한다. 램리서치는 SK하이닉스와의 협업으로 첨단 메모리 생산을 위한 회로 패터닝 혁신을 도모한다.
리차드 와이즈 램리서치 건식 레지스트 제품군 총괄 매니저(부사장)는 “재료 수준 혁신으로 EUV 노광 공정의 가장 큰 과제를 해결하고 고급 메모리와 로직에 대한 비용 효율적인 확장을 가능하게 할 것”이라며 “D램 기술 혁신을 가속하기 위해 SK하이닉스와 오랜 협력을 지속하게 된 것을 자랑스럽게 생각한다”고 밝혔다.
이병기 SK하이닉스 미래기술연구원 R&D 공정 담당 부사장은 “D램 공정이 지속해서 미세화됨에 따라 EUV 패터닝 혁신은 오늘날 점점 더 긴밀하게 연결되는 디바이스에 요구되는 성능을 고객에게 적합한 비용으로 제공하는 데 있어 매우 중요한 요소”라며 “램리서치와 협력하고 있는 건식 레지스트 기술은 매우 정밀하고 결함이 적으며 패터닝 비용도 저렴하다”고 말했다.
권동준기자 djkwon@etnews.com
