첨단 노광 기술(리소그래피)을 소개·공유하는 세계적인 광전자학회(SPIE) '첨단 리소그래피+패터닝' 콘퍼런스가 2년 만에 오프라인으로 개최된다. 올해는 초미세 회로를 구현하기 위한 차세대 극자외선(EUV) 노광 기술인 '하이(High)-NA'를 집중 조명한다. 2024년 하이 NA EUV 장비 상용화를 앞두고 기술 고도화를 위한 산·학계 논의가 활발해졌다.
SPIE는 다음달 24일부터 28일까지 미국 산호세에서 '첨단 리소그래피+패터닝' 콘퍼런스를 개최한다. 해당 콘퍼런스는 반도체 노광 공정과 패터닝 기술을 다루는 세계적인 석학과 산업계 관계자가 참여, 첨단기술을 공유하고 네트워크를 구축하는 자리다. '노광 공정 업계의 CES'라고 불릴 만큼 관심도가 높다. 코로나19로 지난해 온라인으로 개최됐지만 올해는 개최 일정을 조정, 오프라인으로 연다.
올해는 하이 NA EUV 기술 관련 콘퍼런스가 대폭 늘었다. 하이 NA는 EUV 노광 렌즈 수차(NA)를 기존 0.33에서 0.55로 끌어올린 기술이다. 하이 NA EUV 장비는 기존 대비 적은 횟수로 더 미세한 회로를 그릴 수 있다. EUV 장비를 독점 공급하는 ASML이 2024년 상용화한다.
총회 연설로 필립 웡 스탠포드대 교수가 '하이 NA 이후의 노광 공정 중요성'을 주제로 발표한다. 기조연설로 나선 인텔의 강연도 주목된다. 인텔의 마크 C. 필립스가 '2025년 양산을 위한 0.55 NA EUV 진행 상황'을 발표한다. 인텔은 ASML의 하이 NA 장비를 처음으로 도입하는 반도체 기업이다. 2024년 도입을 공식화한 바 있다.
ASML 전문 기술자들이 대거 출동 △N+1 기술 노드의 비용 효율성을 높이는 하이 NA EUV △하이 NA EUV 생태계 준비를 위한 저항과 레트클 개발을 주제로 발표한다. 시높시스는 '하이 NA EUV에서 마스크 결함이 있는 평면 추계 인쇄' 기술에 대해 논의한다. ASML과 협력해 하이 NA EUV 장비를 개발 중인 칼 자이스에서도 하이 NA EUV 솔루션의 진화 방향을 소개한다. 이외 300여개 반도체 노광과 회로 구현을 위한 각 기술 발표가 준비됐다.
권동준기자 djkwon@etnews.com
