DB하이텍이 5세대(5G) 이동통신용 필수 무선 통신장치 'RF 프론트엔드' 사업을 확대한다. 130·110 나노미터(nm) 기반 무선주파수(RF) 반도체 공정 기술로 고성능 RF 프론트엔드 제품 생산을 지원한다.
DB하이텍은 RF 프론트엔드 제조를 위한 실리콘온인슐레이터(SOI)와 고저항서브스트레이트(HRS) 공정 기술을 개발했다고 12일 밝혔다. RF 프론트엔드는 무선 통신기기 간 송·수신 기능을 담당하는 모듈이다. 스마트폰뿐 아니라 사물인터넷(IoT) 등 다양한 분야에 활용된다. 안테나 튜너, 스위치, 저잡음증폭기(LNA), 전력증폭기(PA) 등 부품으로 구성됐다. 2019년 124억달러에서 2025년 217억달러로 높은 시장 성장세가 예상되는 분야다.
DB하이텍은 RF 프론트엔드 가운데 LNA 제조 공정에 주력한다. LNA는 주파수를 증폭시켜 보다 정확한 신호를 전달하는 역할을 맡는다. 5G 등 고속 통신 핵심 부품이다. DB하이텍은 기존 RF 공정에 누설 전류를 차단하거나 최소화하는 SOI와 HRS 웨이퍼를 더해 제품 성능을 극대화할 수 있다.
130nm 기반 RF SOI는 스위치 성능지수(FOM) 84fs, 항복전압(BV) 4.4V로 업계 최고 수준 성능을 갖췄다. LNA는 차단 주파수 120GHz를 지원한다. DB하이텍은 상반기 내 150GHz 이상 성능을 갖춘 LNA 제품 지원을 준비한다. 110nm 기술 기반 RF HRS 공정은 가격 경쟁력이 우수하다.
DB하이텍은 “반도체 팹리스 고객이 RF 프론트엔드 시장에 적기에 진입할 수 있도록 고객 지원에 적극적으로 나서고 있다”면서 “고객사 개발비 절감을 위해 분기별로 멀티프로젝트웨이퍼(MPW)를 운영하고 있다”고 밝혔다.
권동준기자 djkwon@etnews.com
