글로벌 반도체 테스트장비업체 아드반테스트(대표 요시다 요시아키)는 일본 도호쿠대학 테츠오 엔도 교수 연구팀이 이끄는 CIES와 공동으로 차세대 메모리인 '스핀 주입형 자기메모리(STT-MRAM)' 시연을 성공적으로 마쳤다고 16일 밝혔다.
이번 산학연계 공동 프로젝트는 STT-MRAM 비휘발성 동작메모리 연구개발과 양산 기술 확보를 목표로 CIES가 개발한 STT-MRAM(128Mb)를 아드반테스트의 테스터로 성능 평가를 진행했다.
연구 실험 결과에서 고속동작의 STT-MRAM이 기존 반도체 IC에 사용된 전압과 비교되는 1.2V 전압에서 14나노초에 동작하는 것을 확인했다. 기존 SRAM과 동일하게 1.3V 전압에서 10나노초로 동작하는 것으로 나타났다.
아드반테스트 측은 “실험 결과를 통해 대용량의 STT-MRAM이 고속 동작이 가능하다는 것을 확인했고 STT-MRAM 대량생산에 필수요소인 고속 메모리 성능평가 기술 효과를 입증했다”고 말했다.
아드반테스트 측은 또 “도호쿠 대학 CIES와 외부 자기장 애플리케이션 장치가 포함된 새로운 STT-MRAM 메모리 테스터를 상용화하는 것을 목표로 지속적으로 연구개발을 진행한다”고 덧붙였다.
안수민기자 smahn@etnews.com
