日 르네사스일렉트로닉스가 배터리 사용이나 교환이 필요 없는 임베디드컨트롤러 신제품을 출시했다.
이 제품은 르네사스 독자기술 SOTB(Silicon On Thin Buried Oxide) 프로세스 기술을 채용, 기존 마이크로프로세서(MCU)에서는 실현 불가능한 저액티브 전류와 저스탠바이 전류의 양립을 실현했다.
저전류에서 동작하기 때문에 전지를 거의 사용하지 않고도 빛과 진동, 유량 등 미량 센싱이 가능하다. 스마트워치, 웨어러블기기, 헬스웨어 등 일반 소비자용부터 헬스케어, 공장, 주택, 농업, 공공인프라 분야 등 다양한 응용분야에서 사용 가능하다. 샘플은 2019년 7월부터 제공하고 2019년 10월 양산을 시작한다.
CPU는 32비트 암 코텍스를 사용하며 최대 동작 주파수는 64㎒로 센싱 데이터를 고속으로 처리하고 복잡한 해석 및 제어 기능이 가능하다. 딥 스탠바이 전류는 150nA로 기존 저전력 MCU의 약 10분의 1에 불과하다.
권상희기자 shkwon@etnews.com
