"테프론 막대로 수억원 나노패턴 제작장비 대체"

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단국대 고분자공학과 이동현 교수와 이동은(박사과정) 연구원이 '테프론 막대(PTTE bar)'를 이용해 고밀도 나노구조 패턴을 자유자재로 제작하는 기술을 개발했다.

수억원을 호가하는 나노패턴 제작 장비를 3000~4000원 '막대' 하나로 대체할 수 있는 기술로, 제작이 쉽고 공정비용이 저렴해 반도체 기업들이 주목하고 있다.

고성능 반도체 소자개발을 위해선 다양한 회로 패턴을 고밀도로 만드는 기술이 필수다. 하드디스크, 이동식기억장치(USB), 메모리 등 저장용량은 커졌지만 고밀도 공정으로 좁은 면적에 많은 회로 패턴을 제작할 수 있어 장치 크기는 작아졌다. 현재 업계에서 사용하는 기술은 복잡한 생산 공정과 비싼 원가를 감당해야 했다. 최근 주목 받은 유도자기조립(DSA) 기술 역시 특정 기판이 필요하고 불규칙한 결함이 생기는 단점이 있다.

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(A) 테프론 막대를 기재 표면에 문지르면 미세한 테프론 나노선이 형성.(B) 테프론 막대를 문질러 형성된 나노선(주황색 기둥) 위에 블록공중합체 막을 형성하고 P2VP 실리더형 도메인이 수직으로 배향.(C) (B)를 원자힘 현미경으로 관찰한 결과. 흰색 점들은 직경 약 30나노미터의 P2VP 도메인.

이 교수 연구팀은 막대 모양 폴리테트라플로로에틸렌(이하 테프론)을 기판에 문질러 나노구조 패턴을 생성는 기술로 기존 단점을 보완했다. 연필처럼 사용할 수 있어 직선, 곡선 등 원하는 모양을 자유자재로 구현한다.

테프론 막대를 이용해 만든 패턴 위에 블록공중합체(서로 다른 두 종류 이상의 고분자 분자들이 화학결합으로 연결된 고분자) 막을 형성해 기판 위에 수직으로 배열된 고분자 나노구조가 넓은 면적에 스스로 균일하게 정렬할 수 있도록 했다.

이 기술은 반도체, 디스플레이 소자제작에서 블록공중합체 DSA를 이용할 수 있는 가능성을 한층 높인 것으로 실리콘웨이퍼, 유리 및 고분자필름 등 다양한 표면에 적용 가능하다.

이동은 연구원은 “특별한 설비 없이 테프론 막대를 문질러 손쉽게 직선, 곡선 형태 다양한 회로패턴을 만들 수 있다”며 “최소 수억원을 호가하는 나노패턴 제작 장비에 비해 테프론 막대 가격은 3000~4000원에 불과해 비용을 크게 줄일 수 있다”고 설명했다.

연구팀은 한국연구재단과 경기도지역협력연구센터(GRRC) 지원을 받아 미국 메사추세츠대학(University of Massachusetts, UMASS) 토마스 러셀 교수 및 UNIST 박수진 교수 연구팀과 공동 진행했다. 지난 2월 1일 미국 화학학회 국제권위지 'ACS 나노'에 연구성과를 게재했다.


김정희기자 jhakim@etnews.com


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