삼성전자가 23일 경기도 화성캠퍼스에서 '삼성전자 화성 극자외선(EUV) 라인 기공식'을 열고 본격적으로 라인 건설에 착수했다.
이번에 착공하는 화성 EUV 라인은 내년 하반기에 완공, 시험생산을 거쳐 2020년부터 본격 가동을 시작할 예정이다. 화성 EUV 라인의 초기 투자규모는 건설비용 포함 2020년까지 60억달러 수준이다. 삼성전자는 라인 가동 이후 시황에 따라 추가 투자를 추진할 계획이다.
신공장에는 EUV 장비가 본격 도입된다. EUV 장비는 기존 불화아르곤(ArF) 장비보다 파장이 짧은 광원을 사용해 보다 미세한 회로를 그릴 수 있다. 이에 따라 반도체 성능과 전력효율을 향상시킬 수 있다. 회로 형성을 위한 공정수가 줄어들어 생산성도 획기적으로 높일 수 있다고 삼성전자는 설명했다.
삼성전자는 화성 EUV 라인을 통해 향후 모바일, 서버, 네트워크, 고성능컴퓨터 등 고성능과 저전력이 요구되는 첨단 반도체 시장 수요에 적기 대응하고, 7나노 이아 파운드리 미세공정 시장을 주도해 나갈 계획이다.
이날 기공식에는 지역주민, 김기남 삼성전자 DS부문장 사장, 정은승 파운드리 사업부장 사장, 황성태 화성시 부시장, 권칠승 국회의원(화성시병) 등 약 300명이 참석했다.
김기남 사장은 기념사를 통해 “이번 화성 EUV 신규라인 구축을 통해 화성캠퍼스는 기흥, 화성, 평택으로 이어지는 반도체 클러스터의 중심이 될 것"이라면서 ”삼성전자는 산학연 및 관련 업계와의 다양한 상생협력을 통해 국가경제에 기여할 것"이라고 말했다.
삼성전자는 파운드리 7나노 공정부터 EUV 기술을 적용하기 위한 연구개발을 지속적으로 수행해 왔다. 퀄컴 등 고객사와 생산 협약도 맺었다.
한주엽 반도체 전문기자 powerusr@etnews.com
