인공지능(AI), 가상현실(VR) 등에 최적화된 초고속 D램이 출시됐다.
삼성전자는 18일 지난달부터 기존 제품보다 두 배 이상 빠른 16기가비트(Gb) GDDR6 D램을 양산하고 있다고 밝혔다. 이 제품은 10나노급 공정으로 만들어진다. 데이터 전송 속도는 18Gbps로, 전 세대 GDDR5(8Gbps)보다 두 배 이상 빠르다. 동작 전압은 1.35볼트(V)로, 전작(1.55V) 대비 35% 이상 효율이 좋아졌다. 20나노 공정칩 대비 면적도 30% 작다. 초고속, 고용량, 초소형, 초절전 특성을 동시에 구현했다고 삼성전자는 설명했다.
GDDR6 D램 양산은 삼성전자가 업계 최초다. 이번 10나노급 16Gb GDDR6 D램 공급을 통해 그래픽카드 업체는 크기와 소비 전력을 대폭 줄인 차세대 제품을 적기에 출시할 수 있게 됐다.
삼성전자 관계자는 “2014년 12월 세계 최초로 8Gbps 속도의 20나노 8Gb GDDR5 D램 양산을 시작했고, 다시 한 번 속도와 용량을 2배 이상 높인 18Gbps의 10나노급 16Gb GDDR6 D램을 양산하며 프리미엄 그래픽 D램 시장 성장을 주도해 나가고 있다”고 설명했다.
삼성전자는 이 제품이 AI 구현을 위한 병렬 컴퓨팅 기반 학습 시스템이나 VR, 8K 해상도 초고화질 시스템 개발에도 최적의 솔루션이 될 것이라고 전망했다.
한진만 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀장(전무)은 “신제품 양산으로 글로벌 고객들에게 최고 속도, 최대 용량 제품을 적기에 공급하게 됐다”면서 “앞으로도 차세대 GDDR6 그래픽 D램을 한발 앞서 출시해 게임, 그래픽 카드 시장을 선점하고 자동차와 네트워크 시장의 수요 증가에도 적극 대응해 나갈 것”이라고 말했다.
삼성전자는 2.4Gbps 8GB HBM2 D램(초당 307GB 데이터 전송)과 18Gbps 10나노급 16Gb, 8Gb GDDR6 D램(초당 72GB 데이터 전송)을 유일하게 공급하는 등 업계 최대의 프리미엄 메모리 라인업을 구축, 시장 성장을 견인할 수 있게 됐다.
삼성전자 외 경쟁 메모리 업체도 GDDR6 양산 채비를 서두르고 있는 것으로 전해졌다.
SK하이닉스는 지난해 개발한 20나노급 8Gb GDDR6 D램을 오는 2분기부터 본격 양산할 계획이다. 이와 함께 10나노급 16Gb GDDR6는 올 하반기 개발을 완료하고 내년 초부터 양산할 계획이다.
한주엽 반도체 전문기자 powerusr@etnews.com
