ST마이크로일렉트로닉스(지사장 마르코카시스)는 프랑스 연구기관 `CEA-Leti`와 공동으로 `2012년 페리에 어워드`를 받았다고 24일 밝혔다.
페리에 어워드는 프랑스 전자산업 연구개발(R&D) 분야에서 가장 영예로운 상으로 불린다. 전자공학 발전에 기여한 엔지니어나 과학자에게 주는 상으로, 라디오 보급의 선구자인 구스타브 어거스트 페리에를 기리기 위해 만들어졌다.
ST마이크로의 스테판 몬프레이, 프레데릭 뵈프, Leti의 클레어 프누이예 베랑제, 올리비에 페노는 전자회로 소형화 기술인 완전 공핍형 실리콘온인슐레이터(FD-SOI) 공법을 개발했다.
FD-SOI는 박막 실리콘 기판에 절연체(인슐레이터)를 추가해 트랜지스터를 만드는 방법이다. 종전에는 두꺼운 실리콘에 곧바로 트랜지스터를 만들었다. 이때 트랜지스터 크기가 100나노미터(nm)보다 작아지면 트랜지스터의 전기적 특성을 제어하기 어려워진다. FD-SOI 공법을 이용하면 미세 공정에서 전자 이동속도를 높이고 전력 소비량도 줄일 수 있다.
오은지기자 onz@etnews.com
