KAIST 2나노급 차세대 반도체 제조원천 기술 개발

그래핀 소재 위에 2나노급 초미세 패턴을 구현할 수 있는 핵심 원천기술이 국내 연구진에 의해 개발됐다.

그동안 반도체 업계에서는 선폭 10㎚ 이하인 반도체 제작은 불가능한 것으로 알려져 왔다.

Photo Image
화학적으로 개질된 그래핀 위에서 형성된 직사각형 모형의 DNA 사슬접기 모양과 측정 사진.

김상욱 KAIST(총장 서남표) 신소재공학과 교수와 윤제문 연구조교수 연구팀은 2㎚의 초미세 반도체 회로를 만들 수 있는 DNA 배열기술을 개발했다고 6일 밝혔다.

이 기술이 상용화되면 우표 크기의 메모리 반도체에 고화질 영화 1만 편을 저장할 수 있게 된다. 이는 현재 상용화된 20나노급 반도체 대비 100배 용량이다.

연구진은 `DNA 사슬접기`라고 불리는 최첨단 나노 구조제작 기술을 이용해 금속나노입자나 탄소나노튜브를 2㎚까지 정밀하게 조절했다.

김 교수는 “실리콘 기반 반도체 기술은 한계에 이르렀다”며 “앞으로 신물질 차세대 반도체 개발에 커다란 파급효과를 불러일으킬 것”이라고 말했다.

한편, 이번 연구결과는 화학분야의 국제 학술지인 `앙게반테 케미(Angewandte Chemie International Edition)` 1월호에 표지논문으로 실렸다.


대전=박희범기자 hbpark@etnews.com