하이닉스와 일본 도시바가 차세대 메모리 ‘M램’ 개발을 위해 손을 잡았다. 양사는 공동 개발과 함께 공동 생산을 위해 합작사 설립도 추진하기로 했다.
하이닉스는 도시바와 핵심 차세대 메모리 ‘STT-M램(이하 M램)’에 대한 공동개발과 합작사 설립을 통한 공동생산 계약을 체결했다고 13일 밝혔다. 기존 특허 상호 라이선스와 제품 공급 계약도 연장하기로 합의했다.
최근 글로벌 반도체 기업 간 협업 모델 구축이 확대되는 가운데 체결된 이번 협력은 하이닉스의 메모리 반도체 기술 및 원가경쟁력과 도시바의 M램 기술 능력 등 각사의 장점을 결합, 차세대 메모리 시장을 함께 선도하기 위한 목적으로 풀이된다.
M램은 초고속·저전력 작동이 가능하고 전력 공급 없이도 데이터를 보관하는 비휘발성 장점과 안정성을 갖춘 대표적인 차세대 메모리다. 기술적 한계로 여겨지는 10나노 이하에서도 집적이 가능하다는 특징이 있다. 초기에는 저전력 특성을 기반으로 모바일 시장에 진입하고 중장기적으로 PC와 서버 시장까지 확대 적용될 전망이다.
양사는 공동 개발로 기술적 장점과 자원을 최대한 활용해 개발 위험을 줄이는 한편, M램의 상용화 시기를 앞당길 수 있을 것으로 기대했다. 공동 개발한 M램 제품은 합작사 설립을 통해 공동 생산할 예정이다. M램 상용화 시기가 대략 2014년께로 예상되고 있어 합작사 설립도 그 즈음 이루어질 전망이다.
권오철 하이닉스 사장은 “공동 생산으로 양사가 투자비를 균등하게 분담할 수 있게 돼, 투자 위험을 낮추고 신속한 규모의 경제를 달성해 효율성을 높일 수 있게 될 것”으로 예상했다.
고바야시 도시바 반도체 부문 사장은 “M램은 공정 미세화에 유리해 향후 성공 가능성이 매우 높다”면서 “도시바는 M램·낸드플래시·HDD 등을 포함한 모든 스토리지 솔루션 제공을 목표로 하고 있으며 하이닉스와 M램 공동 개발은 이러한 목표 달성에 큰 도움이 될 것”이라고 덧붙였다.
하이닉스는 도시바와 기존 반도체 특허 상호 라이선스 및 제품 장기 공급 계약을 연장, 양사 간 특허 분쟁으로 인한 사업 불확실성을 완화했으며 안정적인 판매 기반을 유지할 수 있게 됐다고 밝혔다.
용어설명 : STT-M램(Spin Transfer Torque 〃 Magnetoresistive RAM)=자성체에 전류를 가해 발생한 전자회전을 이용, 저항 값의 크기에 따라 데이터를 기록하고 보존하는 방식으로 동작하는 메모리이다.
서동규기자 dkseo@etnews.com
