하이닉스반도체(대표 권오철)는 9일 TSV(Through Silicon Via, 관통 전극) 기술을 적용해 40나노급 2기가비트 DDR3 D램을 8단 적층한 16Gb D램을 개발하는데 성공했다고 밝혔다. 단일 패키지에서 고용량 16기가비트를 구현한 것은 이번이 처음이다.
D램의 용량을 늘리는 방법으로는 미세공정을 도입해 용량을 증가시키는 방법이 주로 사용됐으나 최근에는 기술 한계로 메모리 단품을 적층하는 방법이 연구되고 있다. 현재 적층할 때 사용하는 와이어본딩(Wire bonding) 기술로는 패키지가 커지고 속도가 느려지는 문제점이 지적돼왔다.
하이닉스가 이번에 개발한 제품은 TSV 기술을 활용해 이러한 한계를 극복하고 2기가비트 D램을 8단으로 수직 적층함으로써 하나의 패키지에서 고용량을 구현하게 됐다. 이 제품을 모듈로 제작하면 최대 64GB의 고용량을 구현할 수 있어 서버 및 워크스테이션 등 대용량 메모리 수요에 적합하다.
TSV 기술은 얇은 금속선을 통해 연결시키는 와이어본딩과 달리 미세한 구멍을 뚫고 칩을 연결하는 방식으로 와이어 본딩 방식에 비해 2배 이상 적층이 가능하면서 동작속도는 50%가량 향상되고 소비전력도 40% 줄어드는 특징이 있다.
하이닉스반도체 연구소장 홍성주 전무는 “TSV 기술을 이용한 고용량 메모리 제조 기술은 향후 2~3년 내에 메모리 산업의 핵심기술이 될 것”이라며 “이번 제품 개발은 고용량과 융복합화로 변화하는 메모리 솔루션의 기반을 구축했다는 점에 큰 의미가 있다”고 밝혔다.
TSV 기술은 향후 메모리반도체, 시스템반도체, 이미지 센서 등을 하나의 패키지에 통합하는데 핵심기술이 될 전망이다. 하이닉스는 이번에 개발된 제품을 통해 2013년 이후 상용화 될 것으로 예상되는 64기가바이트 모듈의 양산을 준비하는 한편, 기존 모바일 D램 대비 8배 빠른 WIDE I/O TSV 개발도 추진할 계획이다.
유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr
