D램 반도체 가격이 당초 예상(2분기)보다 이른 1분기에 반등할 것이라는 의견이 제시됐다.
권오현 삼성전자 반도체사업부 사장은 서울 삼성동 그랜드인터컨티넨탈에서 열린 ‘2011년 IT산업인 신년 인사회’에 참석해 “D램 가격이 2분기부터 올라가는 게 희망사항이었는데, 1분기로 당겨질 것 같다”며 “1분기 중에 조금 더 떨어졌다가 반등할 것 같은데 2월인지 3월인지는 잘 모르겠다”고 말했다. 지난해 3분기부터 이어진 D램 가격하락세는 지난해 12월 1달러 아래로 떨어진 뒤 새해 들어 약보합세로 돌아섰다. 업계는 D램 시장이 조금 더 빨리 안정화되는 것 아니냐는 추측을 조심스레 제기하고 있다. 권 사장의 발언은 D램 가격이 이제 바닥에 근접했음을 시사하는 것으로 풀이된다.
권 사장은 낸드플래시는 올해 내내 완만한 상승세를 유지할 것으로 예상했다. 그는 “스마트패드·스마트폰에서 수요가 있고, 솔리드스테이트드라이브(SSD) 수요도 늘고 있어서 가격이 떨어지지 않을 것”이라며 “수요에 따라서는 폭증할 수도 있을 것”이라고 덧붙였다.
권 사장은 올해 삼성전자의 반도체 투자에 대해서 “이미 10조3000억원가량 투자한다고 밝혔는데 시스템LSI 부문이 4조원 정도, 나머지는 메모리 쪽에 투자할 것”이라고 말했다. 그는 “일단 10조3000억원을 기준으로 (메모리 쪽은) 시황에 따라 더 투자를 할 수도 있으며, 분기별로 결정할 것”이라고 말했다. 16라인 증설에 대해서는 언급을 피했다.
최근 정부의 중점 육성사업으로 떠오른 시스템반도체에 관한 내용도 덧붙였다. 권 사장은 “미국 오스틴 시스템LSI 라인은 발표한 그대로(지난해와 올해 합쳐 총 4조5000억원) 투자할 것”이라고 말했다. 또 “미국 오스틴공장 라인은 올해 하반기 양산을 시작할 예정”이라고 말했다. 32나노미터(㎚) 공정도 올해 하반기에 시제품을 출하하고, 내년부터는 상당히 많은 양의 시스템 반도체를 생산하게 된다. 주로 모바일용 애플리케이션프로세서(AP)와 고급형 센서 분야에 주력할 계획이다. 위탁제조(파운드리) 공정에 대해서는 “지난해 10위권에 들었는데 올해는 더 잘해서 선두그룹에 들어갈 것”이라며 “아주 열심히 하고 있다”고 말했다.
권오철 하이닉스 사장도 D램 시황에 대해 “지금이 바닥이 아니겠느냐”라며 1분기 반등 가능성을 점쳤다. 시스템반도체 분야에 대해서는 “모든 일에는 순서가 있다”며 메모리 분야부터 확실하게 다져놓고 간다는 기존 입장을 재확인했다.
오은지기자 onz@etnews.co.kr
