하이닉스반도체(대표 권오철)는 30나노급 기술을 적용한 2Gb(기가비트)와 4Gb 대용량 DDR3 D램을 개발하고 새해 1분기 순차적으로 양산에 들어간다고 29일 밝혔다. 30나노 공정을 적용한 4Gb DDR3 제품 개발은 세계 최초다.
최근 D램 가격 급락으로 전 세계 메모리 업체들의 수익성이 급속이 악화되고 있는 가운데 이번 제품 개발로 하이닉스는 수익성 강화는 물론이고 후발기업들과의 격차도 더욱 확대할 수 있을 것으로 기대된다.
하이닉스는 이번 제품 개발부터 같은 미세공정이라 하더라도 칩 크기를 더욱 줄일 수 있는 6F² 기술을 적용, 생산성을 더욱 높였다. 6F² 기술을 적용하면 기존 8F² 기술에 비해 칩 크기를 44% 줄일 수 있다.
이 기술을 적용해 개발한 30나노급 D램은 기존 40나노급 D램에 비해 웨이퍼당 칩 생산수량이 70% 가까이 증가한다. 또 최고 2133Mbps의 데이터 처리속도를 구현해 기존 1333Mbps 제품 대비 처리속도가 60%가량 빨라졌다. 2133Mbps 데이터 전송속도는 16개의 정보 입출구(I/O)를 통해 영화 3, 4편에 해당되는 4.2GB의 데이터를 1초 내에 처리할 수 있는 속도다. 30나노급 2Gb 서버용 제품은 1.25V의 초저전압과 친환경 기술을 적용한 제품으로 기존 40나노급 2Gb 제품보다 60% 이상 전력소모를 줄일 수 있다.
하이닉스는 이번 제품 개발로 수익성이 낮은 1Gb 제품 생산비중을 줄이고 2Gb, 4Gb D램 생산을 확대해 후발기업들을 따돌린다는 계획이다.
박성욱 하이닉스 연구개발제조총괄본부장(CTO)은 “하이닉스는 현재 전체 D램 생산량의 50% 가량을 2Gb 제품으로 생산하고 있으며, 향후 대용량·고성능·저전력 제품 비중을 지속적으로 확대해 4Gb 제품 등 프리미엄 시장을 주도적으로 이끌어 나갈 것”이라고 말했다.
한편, 시장조사기관 아이서플라이는 2Gb D램 비중이 2010년 4분기 현재 30% 수준에서 2011년 3분기에 50%를 넘어설 것으로 전망하고 있다. 또 4Gb D램은 2011년 말부터 시장이 형성돼 2014년 약 43%까지 비중이 확대될 것으로 전망하고 있다.
유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr
