삼성전자, 32나노 저전력 로직 공정 개발

삼성전자가 11일 파운드리 업계 최초로 32나노 저전력 ‘HKMG(하이-케이 메탈 게이트·High-K Metal Gate)’ 로직 공정을 개발했다고 밝혔다.

세계 최대 파운드리 기업인 TSMC의 경우 현재 45나노 공정을 적용 중이며 2013년께 20나노 제품을 생산키로 한 것으로 알려져 파운드리 공정에서는 당분간 삼성전자가 가장 앞선 공정을 보유하게 됐다. 이번 기술 개발로 고객이 삼성전자에게 제조를 의뢰할 경우 이전 공정보다 저렴한 가격에 높은 성능의 제품 생산 서비스를 받을 수 있게 됐다.

삼성전자는 IBM 등 로직 기술 개발 파트너들과의 공동연구를 기반으로 기존 45나노 공정 대비 집적도가 두 배인 32나노 ‘하이-케이 메탈 게이트’ 기술을 개발했다. 이 기술은 신물질을 사용해 공정이 미세화될수록 증가되는 누설전류를 효과적으로 줄이고 동작속도를 향상시킬 수 있는 최첨단 저전력 로직공정 기술이다. 이에 따라 전력 소비량이 주요 관건인 스마트폰·태블릿PC등 차세대 모바일 기기용 IC에서 삼성전자가 더욱 앞서갈 수 있는 기반을 마련한 것으로 평가된다.

삼성전자는 이 기술을 적용, 기존 45나노 저전력 공정에 비해 누설전력을 55%, 소비전력도 30% 감소시켰다고 밝혔다. 삼성전자는 ARM, 시놉시스, 케이던스 디자인 시스템, 멘토 그래픽스 등 IP, 설계 솔루션 파트너들과 협력을 통해 IP와 설계 프로세스 검증까지 완료했다. 이로써 고객 주문이 발생하면 바로 대응이 가능하다.

우남성 삼성전자 반도체사업부 시스템LSI 담당 부사장은 “32나노 하이-케이 메탈 게이트 로직공정 개발은 파운드리 사업에서 기술 리더십을 확인하는 전략적인 이정표”라며, “삼성전자는 주요 기술 파트너들과 기술협력을 통해 모든 양산 준비를 마치고, 고객의 다양한 제품 설계를 적용한 제품 개발 단계에 있다”고 밝혔다.

한편, 시장조사기관 가트너에 따르면 파운드리 시장은 2009년 200억달러에서 2014년 422억달러로 연평균 16%씩 성장해, 전체 반도체 시장 성장률 9%를 상회할 것으로 전망된다.

유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr