삼성전자, 오스틴 반도체공장에 4조5000억 투자

삼성전자가 300㎜ 시스템반도체 라인을 새로 건설한다.

세계 비메모리 기업 가운데 올해 300㎜ 팹 신설을 검토 중인 곳은 세계 1, 2위 파운드리 기업인 TSMC·글로벌파운드리 정도여서 삼성전자가 비메모리 사업을 공격적으로 확대할 수 있는 기반을 갖출 것으로 기대된다.

삼성전자(대표 최지성)는 미국 텍사스주 오스틴에 있는 반도체 공장에 시스템반도체 생산라인 신설을 위해 내년까지 총 36억달러(약 4조5000억원)를 투자할 계획이라고 10일 밝혔다.

1996년 가동을 시작한 오스틴 공장은 삼성전자가 해외에 설립한 유일한 반도체 생산라인이다. 이곳에서는 D램과 낸드플래시 등을 주로 생산했으나 지난 2009년 수익성 악화로 200㎜ D램 라인에 대해서는 가동을 중지했고 현재는 플래시 메모리만 생산하고 있다.

삼성전자는 이번 신규투자를 통해 내년 2분기부터 TV 및 휴대폰 등에 들어가는 시스템반도체를 양산할 예정이다. 또 파운드리 사업도 진행할 계획이다. 오스틴 공장 투자 계획에는 연구개발(R&D) 센터 신축 방안도 포함된 것으로 알려졌다.

삼성전자 한 관계자는 “오스틴 공장 투자는 지난달 발표한 26조원 규모의 투자계획에 일부 포함된 내용”며 “최근 수요가 커지고 있는 시스템반도체 부문을 강화하기 위한 것”이라고 말했다. 삼성전자는 지난달 17일 경기도 화성캠퍼스(반도체사업장)에서 메모리반도체 16라인 기공식을 한 뒤 반도체 11조원, LCD 5조원 등 전체 시설에 18조원과 R&D에 8조원 등 총 26조원 규모의 올해 투자계획을 발표한 바 있다.

삼성전자는 국내에 5∼7라인(200㎜)과 S라인(300㎜) 등 4개 라인에서 시스템반도체를 생산해왔다. 미국 오스틴에 새 라인이 구축될 경우 시스템반도체 및 파운드리 생산 능력은 거의 두 배 가까이 확대될 것으로 전망된다.

유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr