피델릭스, 노어 플래시 메모리 3월 출시

　모바일용 메모리 반도체 설계(팹리스) 전문 업체 피델릭스가 신사업인 노어 플래시 메모리를 내달 선보인다.

　피델릭스(대표 안승한)는 130나노 공정을 이용하는 노어 플래시 메모리 칩이 다음달 중으로 개발 완료된다고 17일 밝혔다. 칩 개발이 완료되면 약 2∼3개월간 테스트를 거쳐 양산에 돌입하게 된다.

　향후에는 좀더 미세화된 공정의 플래시 메모리 제품 개발에 나서, 연내 출시해 가격 경쟁력을 높인다는 계획이다. 이 회사는 지난해 11월 동부하이텍과 임베디드 플래시 메모리 설계자산(IP) 개발 용역을 체결하는 한편 동부하이텍의 생산 설비(팹)를 이용해 플래시 메모리 개발에 나섰다.

　피델릭스는 모바일용 초소형 메모리인 P스도램(PSRAM), 저전력(LP) SDR/DDR SDRAM을 주로 생산해왔다. 삼성전자·하이닉스 등 대기업이 포진해 있는 메모리 반도체 시장에서 저가형 휴대폰용 메모리를 개발·판매해 틈새시장을 공략하는 전략이었다. 최근에는 메모리 시장에서 플래시 메모리 비중이 커지는 데 대응하기 위해 사업 분야를 확대했다.

　이 회사 장석헌 이사는 “사업 영역을 확대할 때, 기존 D램 비즈니스 노하우를 살려 개발 위험을 최소화하는데 초점을 맞췄다”며 개발 배경을 설명했다. 이어 장 이사는 “지난해 매출이 500억원대를 기록했는데, 신제품 개발로 올해는 600억원 규모의 실적이 예상된다”고 덧붙였다.

오은지기자 onz@etnews.co.kr