GIST, 나노와이어 트랜지스터 제조기술 개발

　 국내 연구진이 휘어진 상황서도 전기적 특성을 갖는 나노와이어 트랜지스터 제조 기술을 개발하는 길을 열었다.

광주과학기술원(GIST·원장 선우중호) 신소재공학과 이탁희 교수팀은 산화아연·산화인듐 두 종류의 나노와이어 전계효과트랜지스터를 폴리머 유전체를 사용해 플라스틱 기판 위에 두 가지 구조로 제작한 뒤 이러한 나노전자 소자가 휘어진 상황에서 어떠한 전기적 특성을 나타내는지 규명해냈다.

연구진은 플라스틱 기판위에 나노와이어 트랜지스터의 소스·드레인·게이트 등 3개 전극 중에서 게이트 전극의 위치를 각각 위와 아래에 두는 탑 게이트(Top-gate) 구조 및 바텀 게이트(Bottom-gate) 구조 등 두 가지 방법으로 나노전자 소자를 제작한 뒤 휘어졌을 때의 전기적 특성 변화를 분석했다.

플라스틱을 기판으로 사용한 전자소자와 산화아연을 활용한 트랜지스터 연구는 구부릴 수 있다는 장점 때문에 차세대 반도체 소자기술로 주목받았다.

이탁희 교수는 “플라스틱 기판의 산화아연 나노와이어 트랜지스터의 소자 전도특성을 이해함으로써 향후 플라스틱 나노전자회로 분야에 응용할 수 있을 것”이라고 말했다.　

이 교수팀의 연구결과는 세계적인 재료공학분야 국제학술지인 ‘어드밴스트 머티리얼스(Advanced Materials)’ 최근호에 게재됐다.

이 연구는 과학재단 국가지정연구실사업과 21세기 프론티어 연구개발사업의 양성자기반공학기술개발사업 일환으로 수행됐다.

광주=김한식기자 hskim@etnews.co.kr