삼성전자가 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 2기가비트(Giga bit) DDR3 D램 개발에 성공, 10월부터 양산할 예정이다.
50나노 2기가비트 DDR3는 2007년 삼성전자가 개발한 60나노 2기가비트 DDR2 D램의 최대 속도인 800Mbps(초당 800메가비트의 데이터 처리) 대비 약 1.6배인 1.333Gbps(1,333Mbps)를 구현하며, 단품 칩의 크기가 작아져 생산 효율도 기존 대비 60% 이상 향상되었다.
삼성은 이번에 개발한 2기가비트 D램 솔루션으로 고용량 DDR3 모듈을 양산할 예정으로 서버용 8기가바이트(Giga Byte) RDIMM, 워크스테이션 및 데스크탑 PC용 4기가바이트(GB) UDIMM, 노트북용 4기가바이트(GB) SODIMM 등을 제작하여 다양한 응용처에 대해 메모리 솔루션 용량 확대를 가속화할 예정이다.
전자신문인터넷 조정형기자 jenie@etnews.co.kr
