동부하이텍, 0.18㎛ 복합고전압소자 기술 개발

　 동부하이텍 반도체부문(대표 오영환 www.dongbuhitek.co.kr)은 칩 크기를 기존 공정에 비해 40∼60% 줄여 제조시간과 비용을 절감하면서 판매가격은 30% 이상 비싸게 받을 수 있는 0.18미크론급 복합고전압소자(BCDMOS) 공정기술을 파운드리 업계 최초로 개발했다고 3일 밝혔다.

동부하이텍 관계자는 “BCDMOS 공정은 주로 0.35미크론급을 사용하는데 최근 전자제품의 기능이 복잡 다양해지면서 칩 크기가 커지고 하나의 칩으로 모든 기능을 구현하지 못해 로직회로를 별도로 0.13 또는 0.18미크론급 공정을 적용해 생산하기 때문에 많은 제조 비용과 시간이 소요됐다”며 “이번에 아날로그·로직·고전압 소자를 0.18 미크론급 공정으로 하나의 칩에서 구현하는 시스템온칩(SoC)으로 만들게 됨으로써 제작비용을 줄일 수 있게 됐다”고 설명했다.

이 공정기술은 12V에서 60V까지의 넓은 범위의 고전압을 지원하며 전력관리 칩, LED 구동 칩, 하드디스크·자동차 부품 구동 칩, 휴대폰· 가전제품용 오디오 칩 등 다양한 비메모리 반도체를 생산할 수 있다.

동부하이텍 측은 “0.18미크론급 BCDMOS) 공정기술은 선발 파운드리회사인 대만의 TSMC나 UMC 등도 아직 개발을 완료하지 못한 기술”이라며 “동부하이텍은 신규 시장인 0.18미크론급 BCDMOS 시장에서 경쟁 우위를 확보할 수 있을 것”으로 내다봤다.

한편, 동부하이텍은 이 공정기술을 지난 달 미국 올랜도에서 열린 세계적인 권위의 국제전력용반도체학회(ISPSD)에 발표한 바 있다.

주문정기자 mjjoo@