나노종합팹센터(소장 이희철)는 13일 KAIST에서 차세대 반도체기술 개발과 산업화 지원을 위해 산학연이 공동으로 참여하는 컨소시엄 형태의 공동연구프로젝트를 수행하기로 하는 협약을 체결했다.
공동연구 프로젝트에는 나노종합팹센터와 KAIST 전자전산학부 조병진 교수팀, 주성엔지니어링, 유피케미칼 등이 참여한다.
이 프로젝트는 30나노급 이하의 차세대 DRAM 소자의 캐퍼시터와 플래시 메모리 소자에 활용되는 새로운 하이-K 유전막 물질들을 개발하기 위한 것이다.
이를 위해 하이닉스반도체는 공정개발 비용을 부담하고, 주성엔지니어링에서는 이 연구를 위해 특별히 디자인된 15억원 상당의 장비를 나노팹에 기증한다. 또 유피케미칼에서는 새로운 하이-K 박막형성에 필요한 원재료를 개발, 공급하기로 했다.
이희철 소장은 “메모리소자 분야에서는 우리나라가 가장 앞서 다른 나라의 기술을 벤치마킹할 수도 없다”고 말했다.
대전=박희범기자@전자신문, hbpark@
